金属和半导体形成低阻欧姆接触.ppt

金属化与平坦化 概 述 金属化将晶片上制成的各种元器件用互连金属线连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜，通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。 互连金属 在集成电路中金属薄膜主要用于 1.欧姆接触（Ohmic Contact） 2.肖特基接触（Schottky Barrier Contact） 3.低阻栅电极（Gate Electrode） 4.器件间互联（interconnect） 金属化的几个术语 接触（contact）：指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接 互连（interconnect）：由导电材料，(如铝，多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分 通孔（via）：通过各种介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口 “填充薄膜”：是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。 层间介质（ILD:Inner Layer Dielectric ）：是绝缘材料，它分离了金属之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被光刻刻蚀成图形，以便为各金属层之间形成通路。用金属（通常是钨 W）填充通孔，形成通孔填充薄膜。 对IC金属化系统的主要要求 (1) 低阻互连 (2) 金属和半导体形成低阻欧姆接触 (3) 与下面的氧化层或其它介质层的粘附性好 (4) 对台阶的覆盖好 (5) 结构稳