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三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子-中南民族大学学报.PDF

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三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子-中南民族大学学报

33 4 ( 科学版) Vol. 33 No. 4 第 卷第 期 中南民族大学学报 自然 2014 12 Journal of South-Central University for Nationalities (Nat. Sci. Edition) Dec. 2014 年 月 三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子 李成德 ( , 430074) 中南民族大学电子信息工程学院 武汉 “ ” , 摘 要 介绍了拓扑绝缘体与量子霍尔效应 家族 的关系和由来 并且从轴子模型的起源角度探讨了三维拓扑 . : 绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子模型的联系与区别 结果表明 它们的联系在于材料的电子能带结构和 QCD , ; , 真空结构在拓扑特性上相似 因而有相似的电磁响应 但二者的物理起源不同 有关提议的用磁性拓扑绝缘体 (TMI)测暗物质轴子的实验探测的轴子应该是外来的而非TMI 产生的. ; ; ; 关键词 拓扑绝缘体 量子霍尔效应 磁电耦合效应 轴子 中图分类号 O314 文献标识码 A 文章编号 1672-4321 (2014)04-0071-07 Magneto-Electric Effect of the Three-dimensional Topological Insulators and the Cold-Dark Mater of Axion Li Chengde (College of Electronic Information Engineering ,South-Central University for Nationalities ,Wuhan ,430074) Abstract Topological insulators have bulk band gap like ordinary insulators but have conducting states on their edge or surface which were protected by symmetry and non-trivial topological invariant. The relationship between TIs and the family of Quantum Hall Effect was presented here ,as well as those between the magneto-electric effect of three-dimensional TIs and the Cold-Dark Mater of axion from the perspective of the origins of axion models. We found that they have in common on their topological properties of electronic band structure and the structure of the QCD vacuum. So they have similar description of electr

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