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氮气中退火制备（Bi，Dy）4Ti3O12铁电薄膜.pdf
第29卷第4期 湘 潭 大 学 自 然 科 学 学 报 V01．29 No．4
2007年 l2月 Natural Science Journal of Xiangtan University Dec．20o7
氮气中退火制备(Bi，Dy)4 Ti3 O。2铁电薄膜
成传品 ， 唐明华 ， 叶 志 ， 周益春
(1．湘潭大学材料与光电物理学院，湖南湘潭4ll105；
2．低维材料及其应用技术教育部重点实验室湘潭大学，湖南 湘潭4ll 105)
[摘要】 采用化学溶液沉积法(CSD)将Bi3．4 Dy0．6Ti30l2(BDT)前驱体溶液沉积在Pt(111)／Ti／SiO2／Si(111)基底上，
然后在氮气环境中分别于600℃、650 oC、700 oC和750℃四个温度下退火，成功地制作出BDT铁电薄膜．用x射线衍射
(XRD)和扫描电镜(SEM)等分别对其表面形貌、结构及其成份进行了表征；用铁电分析仪测试了其铁电性能．随着退火
温度的升高。薄膜的晶粒尺寸逐渐增大，但其剩余极化不是随着退火温度的升高而单调增加．氮气中650 oC退火的BDT
铁电薄膜结晶良好，并且具有最大的剩余极化值(2P =7．8 p,C_．／cm2；E。=95．7 kV／cm)．另外，就温度对BDT铁电薄膜性
能的影响机理进行了讨论．
关 键 词：CSD；铁电薄膜；退火；铁电性
中图分类号：o484．4 文献标识码：A 文章编号：1000—5900(200r7)04—0031—04
Crystallization of(Bi，Dy)4Ti3012 Films in N2 Atmosphere
CHENGChuan-pin ． TANGMing—hua ． YEZhi ． ZHOUYi—chun ·
(1．Faculty of Materials＆Optoclectronic Physics．Xiangtan University．Xiangtan 41 1 105 China；
2．Key Laboratory ofLow Dimensional Materials＆Application Technology．Ministry of Education．Xiangtan 411105 China)
【Abstract】 Dysprosium—doped Bi4Ti3Ol2(Bi3．4Dy0．6Ti3Ol2-BDT)fcrroelectric thin films were deposited on Pt
(1 1 1)／Ti／SiO2／Si(1 1 1)substrates by chemical solution deposition(CSD)and crystallized in nitrogen atmo6-
phere at four temperatures of60O℃．650℃．700℃and 750℃．respectively．X—ray diffraction(XRD)and
scanning electron microscopy(SEM)were used to identify the crystal structure．the surface morphology of the de-
posited fcrroelectric films．The ferroelectric measurements were performed by a radiant technology precise worksta-
tion ferroelectric tester．Th e crystallinity ofthe BDT films was improved and the average stain size increased as the
annealing temperature increa
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