Chapter6ElectronicandMicroelectronicMaterials.ppt

① 组分超晶格 ——超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成 * Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials ② 掺杂超晶格 在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料 * 掺杂超晶格半导体的能带结构 Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials * 任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格； 多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般较小，杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面； 掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到未调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于对各分层厚度和掺杂浓度的选择。 掺杂超晶格的优点 Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials ③ 多维超晶格 * Chapter6 Electronic and Microelectronic Materials ④ 应变超晶格 在弹性形变限度之内的超薄膜中，晶格本身发生应变而阻止缺陷的产生 * SiGe/Si 是典型半导体应变超晶格材料，随着能带结构的变化，载流子的有效质量可能变小，可提高载流子的迁移率，可做出比一般 Si 器件更高速工作的电