可控硅晶闸管模块MTC200A1600V杭州国晶.pdfVIP

可控硅晶闸管模块MTC200A1600V杭州国晶.pdf

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可控硅晶闸管模块MTC200A1600V杭州国晶.pdf

GUOJINGKEJI (可控硅模块) Thyristor Module 国晶科技 MTC200 特点: ■芯片与底板电气绝缘,2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接,优良的 温度特性和功率循环能力 ■体积小,重量轻 IT(AV) 200A 典型应用: VDRM/VRRM 600~1800V ■加热控制器 ITSM 7.2KA ■交直流电机控制 2 3 2 I T 259 10 A S ■各种整流电源 ■交流开关 结温 参数值 符号 参数 测试条件 单位 Tj (℃) 最小 典型 最大 180 °正弦半波,50HZ 单面散 IT(AV) 通态平均电流 125 200 A 热,Tc=85 ℃ IT(RMS) 方均根电流 125 314 A VDRM 断态重复峰值电压 VDRMVRRM tp=10ms 125 600 1600 1800 V VRRM 反向重复峰值电压 VDsMVRsM= VDRMVRRM+200V IDRM 断态重复峰值电流 VDM= VDRM 125 30 mA IRRM 反向重复峰值电流 VRM= VRRM ITSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽,正弦半波 125 7.20 KA 2 3 2 I t 浪涌电流平均时间积 V =0.6 V 125 259 10 A S R RRM VTO 门槛电压 0.80 V RT 斜率电阻 125 1.27 m Ω VTM 通态峰值电压 ITM=600A 25

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