半导体课件第1章 简介.pptVIP

第1章 简介 半导体器件物理 第1章 简介 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第1章 简介 * 课程讲授者：张旭琳 办公室：科技楼534-1 联系电话E-mail：zxlin@szu.edu.cn 第1章 简介 * 课程概论 课程名称：半导体器件物理 学分：3 时间：秋季学期1-17周 第1章 简介 * 教材与参考资料 《半导体器件物理与工艺》（第2版），[美]施敏，苏州大学出版社，2004年。 《半导体物理与器件》（第3版）， [美] D A Neamen，电子工业出版社，2005年。 《半导体物理学》（第7版），刘恩科等，电子工业出版社，2008年。 第1章 简介 * 成绩考核 出勤、作业：30% 期末考试：70% 申请免听课的同学：作业需要完成！ 第1章 简介 * 半导体器件物理研究什么？ 研究半导体器件中电子或空穴的运动规律，如何通过“能带裁剪工程”（构造特定形状的势垒结构）来控制载流子（电子、空穴）的运动，使其载流子的运动行为满足特定的要求。以及在不同结构下，研究器件不同的电性能和光性能。 第1章 简介 * 半导体器件的基础结构 迄今大约有60种主要器件及100种与主要器件相关的变异器件。4种基本器件结构。 金属-半导体接触（1874）：整流接触，欧姆接触。金半场效应晶体管（MESFET）：整流接触，栅极；欧姆接触，漏极、源极。微波器件。 p-n结：半导体器件的关键基础结构；p-n-p双极型晶体管（1947），p-n-p-n结构的可控硅器件。 第1章 简介 * 异质结（1957）：由两种不同材料的半导体组成；快速器件、光电器件的关键构成。 金属-氧化物-半导体结构 （MOS，1960）：MOS结构，栅极；p-n结，漏极、源极。可制作MOSFET。 第1章 简介 * 晶体管的发明 1946年，Bell实验室成立半导体研究小组：W Schokley、J Bardeen、W H Brattain。 Bardeen提出表面态理论，Schokley给出实现放大器的基本设想，Brattain设计实验。 1947年，第一次观测到具有放大作用的晶体管。 第1章 简介 * 集成电路的发明 1958年，TI （德州仪器公司），Clair Kilby等，第一块集成电路，并于1959年公布结果。 1959年，Intel公司，Robert Noyce提出IC的单晶制造概念。 Robert Noyce（Intel） Clair Kilby （TI） 第1章 简介 * 其他的重要里程碑 1874年，布朗，金属-半导体接触。 1907年，朗德，电致发光效应（LED） 。 1952年，伊伯斯，可控硅器件。 1954年，阕平等，硅p-n结太阳能电池。 1957年，克罗马，异质结双极型晶体管（HBT），快速器件。 1958年，江崎，重掺杂p-n结隧道二极管。 1960年，姜及亚特拉，金氧半场效应晶体管（MOSFET），是集成电路最重要的器件。 1962年，霍尔等人，半导体激光（Laser）。 1963年，克罗马、阿法罗和卡查雷挪，异质结构激光。 第1章 简介 * 其他的重要里程碑（续） 1963年，冈，转移电子二极管（TED），又称为冈二极管，被广泛应用到侦测系统、远程控制和微波测试仪器。 1965年，姜士敦等人，碰撞电离雪崩渡越时间二极管（IMPATT diode），是目前可以在毫米波频率下产生最高连续波功率器件。 1966年，密德，金半场效应晶体管（MESFET），并成为单片微波集成电路（MMIC）的关键器件。 三种重要的微波器件相继被发明制造出来： 见P3 表1.1 第1章 简介 * 半导体工艺技术 由几个世纪前发明的工艺技术延伸而来。例如：1798年，图形曝光工艺，只是影像图形是从石片转移过来的。 1918年，柴可拉斯基，液态-固态单晶生长的技术（Cz法）。 1925年，布理吉曼，用于砷化镓和一些化合物半导体晶体的生长方法。 1952年，魏可，砷化镓和其他Ⅲ-V族化合物是半导体材料。 1952年，范恩，利用扩散技术来改变硅的电导率。 1957年，安卓斯，图形曝光技术；弗洛区和德利克，氧化物掩蔽层方式；雪弗塔等，化学气相淀积外延生长技术。 第1章 简介 * 具有里程碑意义的技术（续） 1958年，肖克莱，离子注入。 1960年，荷尼，平面工艺。 1963年，万雷斯和萨支唐，CMOS观念。 1967年，丹纳，动态随机存储器。 1969年，柯文等，多晶硅自对准栅极工艺；门纳赛维和辛浦生，金属有机化学气相淀积技术。 1971年，尔文等，利用CF4-O2的混合气体刻蚀硅晶片；卓以和，分子束外延技术。 1971年，霍夫等，第一个微处理器。 第1章 简介 * Intel 4