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Cu、Ni掺杂FeS2电子结构与光学性质的第一性原理计算.pdf
第27 卷第3 期 中国有色金属学报 2017 年3 月
Volume 27 Number 3 The Chinese Journal of Nonferrous Metals March 2017
DOI :10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.03.019
Cu 、Ni 掺杂FeS2 电子结构与
光学性质的第一性原理计算
武佳佳,马万坤,焦 芬,覃文庆
( 中南大学 资源加工与生物工程学院,长沙 410083)
摘 要:采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势法,研究Cu、Ni 单掺杂与共掺杂体系中FeS2
的晶体结构、电子结构和光学性质。结果表明:掺杂后黄铁矿发生晶格畸变,晶格常数变大,掺杂在FeS2 禁带中
引入杂质能级,使禁带变窄,费米能级上移进入导带,掺杂黄铁矿的态密度穿过费米能级,形成简并半导体,体
系的导电率增强。光学性质计算表明:掺杂后介电函数虚部主峰、吸收系数和光电导率均出现红移、峰值减小。
共掺杂后的光跃迁强度明显增强,可见光区范围内的光吸收系数和光电导率均增大,说明Cu-Ni 共掺杂显著增强
FeS2 对光的吸收以及光电转换效率。
关键词:Cu-Ni 掺杂;FeS2 ;光学性质;第一性原理计算
文章编号:1004-0609(2017)-03-0605-08 中图分类号:O474 文献标志码:A
随着能源需求的激增和环境污染的加剧,长期以 响其光电导的敏感性。龙飞等[19]研究Ni 掺杂FeS2 的
来,太阳能电池备受关注并发展迅速。但是发展至今, 可见光催化活性,发现Ni 掺杂有利于提高Fe Ni S
1−y y 2
其年产量与世界能源需求量相比还相差甚远,制约其 的可见光催化活性,当Ni 的掺入量y 为0.125 时,其
发展的关键问题是高昂的制造成本[1−3] 。金属硫化物因 光催化活性最好。尽管对黄铁矿光电性能、Ni 掺杂[20]
其半导体属性在太阳能电池、热电材料以及存储装置 的研究已有报道,但用第一性原理研究 Cu、Ni 共掺
等领域显示出了广阔的应用前景,因而得到了广泛 杂对黄铁矿电子结构及光学性质的影响尚未见报道。
关注。 本文作者以FeS2 超晶胞作为基体,以Cu、Ni 为
黄铁矿(FeS2)是地壳中最常见的硫化矿,组成元 掺杂原子,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面
素无毒且地球储量丰富。立方晶系黄铁矿具有优异的 波超软赝势法,对不同浓度Cu、Ni 掺杂FeS2 前后的
半导体特性[4−5] ,并且其环境相容性好,制备成本低廉, 能带、电子态密度和光学性质进行了对比和研究,初
是一种较有研究价值的新型太阳能电池材料[6− 10] 。已 步揭示了通过Cu、Ni 单掺杂及共掺杂改变FeS2 光电
有研究[11]表明:采用人工合成方法制备出FeS2 薄膜, 性质的内在原因,为开发FeS2 基光伏材料的实验工作
尽管其易于氧化降解,但仍表现出良好的光电性能。 提供了理论参考。
掺杂是调制材料的电子结构并改变其光电性能的
常用手段,对光电材料掺杂改性的理论研究具有重大 1 理论模型和计算方法
意义[12] 。对于黄铁矿来说,天然黄铁矿物中存在不同
类型的杂质和含量,李玉琼等[13− 16]的研究结果表明,
钴、镍、砷的掺杂均使得黄铁矿的吸收带边发生明显 半导体化合物 FeS2 属于等轴晶系,其空
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