第六章mosfet的电气特性.pdf

第六章 MOSFET 的电气特性 电信学院 王红义 /web/wanghongyi MOSFET 的电气特性 1. MOS结构 2. I/V特性：线型区、饱和区 3. 电阻、电容、简单RC模型 4. 二阶效应： 1）沟道长度调制效应 2 ）体偏效应 3 ）小尺寸效应 5. MOS 模型 VLSI设计基础 --Ch.6 MOSFET的电气特性 # 2 MOSFET 的电气特性 1. MOS结构 2. I/V特性：线型区、饱和区 3. 电阻、电容、简单RC模型 4. 二阶效应： 1）沟道长度调制效应 2 ）体偏效应 3 ）小尺寸效应 5. MOS 模型 VLSI设计基础 --Ch.6 MOSFET的电气特性 # 3 MOSFET 结构 VLSI设计基础 --Ch.6 MOSFET的电气特性 # 4 MOS 符号 VLSI设计基础 --Ch.6 MOSFET的电气特性 # 5 MOSFET 的电气特性 1. MOS结构 2. I/V特性：线型区、饱和区 3. 电阻、电容、简单RC模型 4. 二阶效应： 1）沟道长度调制效应 2 ）体偏效应 3 ）小尺寸效应 5. MOS 模型 VLSI设计基础 --Ch.6 MOSFET的电气特性 # 6 MOS 导电沟道的形成 （a ）由栅压控制的MOSFET （b ）耗尽区的形成 （c ）反型的开始 （d ）反型层的形成 VLSI设计基础 --Ch.6 MOSFET的电气特性 # 7 MOSFET工作区间与电流公式 形成沟道的条件： NMOS: 栅极比源（或漏）的电压高一个阈值以上。 PMOS: 栅极比源（或漏）的电压低一个阈值以上。 截止区：在源漏两端都没有形成沟道。 I 0 D 线性区：在源漏两端都形成了沟道。全导通 W 1 2 1 2 , :  [(  )  ]  [(  )  ] NMOS PMOS I C V V V V V V V V