Ga AsM ESFET模型参数自动提取方法的研究.PDF

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2017-06-30 发布于天津
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Ga AsM ESFET模型参数自动提取方法的研究

1997 5 　　　　　 30　 3 　　　　　　　　　　　　 May 1997 JOURNAL OF TIANJIN UNIVER SITY Vol. 30　 No. 3 GaAsMESFET * 赵雅兴　王天海　戴居丰 () 　　　提出了一种基于 PSPICE4. 02通用电路模拟程序与优化技术相结合提取 GaAsMES- FET模型参数的方法.根实测的 GaAsM ESFET小信号S 参数与大信号S 参数,利用约束优化技术提取模型等效电路元件参数 ,并利用该电路模型参数设计制作了 3. 7 GHz～ 4. 2 GHz和 5. 2 GHz～ 5. 8 GHz Ga AsM ESFET放大器,给出设计和测试结果并验证了该方法的正确性. : GaAsMESFET, PSPICE, , : TN713. 16 DEVELOPMENT OF METHOD FOR AUTO-OBTAIN IN G GaAsMESFET MODEL PARAMETERS Zhao Yaxing　 Wang Tianha　i Dai Ju eng ( ept. of Electronic Eng. ) 　　 Abstract　 This paper presents a method for obtaining GaAsM ESFET model parameters. The method is based on circuits-simulation programs PSPECE4. 02 and optimization technique. Ac- - - cording to actual measured small singal S parameters and large signal s parameters for GaAsMES- FET the element parameters of GaAsMESFET equivalent circuit can be found By using these, . data, this method has the capability of designing GaAsMESFET amplifers 3. 7 GHz～ 4. 2 GHz 5. 2 GHz～ 5. 8 GHz. The accuracy has been shown by the good agreement of comparison between the designed and measrued results. : , , , Key words GaAsM ESFET PSPICE model parameter optimization technique 　　 , GaAsFET. PSPICE GaAsFET. PSPICE , S , GaAsFET .. 　 1995 6 29, 1995 10 18. 　 * 1940, , . Born in 1940, male prof, . · 332· 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 1997 5 1　 PSPICE S 　　 PSPICE , S . , GaAsMESFET, PSPICE. , 1.