006 nor 与nand - 专题周记系统.pdf

專題週記 -006 NOR與 NAND NOR Flash NOR Flash NOR FlashNOR Flash 藉由熱電子注入寫入一個 NOR Flash記憶單元(將其在邏輯上設為 0) 藉由量子穿隧抹除一個 NOR Flash 記憶單元(將其在邏輯上設為 1) 快閃記憶體的每個儲存單元類似一個標準 MOSFET, 除了電晶體有兩個而非一個閘 極。在頂部的是 控制閘 （Control Gate, CG），如同其他 MOS 電晶體 。但是它下方 則是一個以氧化物層與週遭絕緣的 浮閘 （Floating Gate, FG）。這個 FG 放在 CG 與 MOSFET 通道之間 。由於這個FG 在電氣上是受絕緣層獨立的, 所以進入的電子會 被困在裡面 。在一般的條件下電荷經過多年都不會逸散。當 FG 抓到電荷時，它部分 遮蔽掉來自 CG 的電場 ，並改變這個單元的閥電壓 （VT）。在讀出期間 。利用向CG 的電壓 ，MOSFET 通道會變的導電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定 （而該單元 的 VT 受到 FG 上的電荷控制 ）。這股電流流過 MOSFET 通道 ，並以二進位碼的方式讀 出、再現儲存的資料。在每單元儲存1 位元以上的資料的 MLC 裝置中 ，為了能夠更 精確的測定 FG 中的電荷位準 ，則是以感應電流的量（而非單純的有或無）達成的 。 邏輯上 ，單層NOR Flash 單元在預設狀態代表二進位碼中的 「0」值，因為在以特定 的電壓值控制閘極時 ，電流會流經通道。經由以下流程，NOR Flash 單元可以被設 定為二進位碼中的 「1」值。 • 1. 對 CG 施加高電壓 （通常大於5V）。 • 2. 現在通道是開的 ，所以電子可以從源極 流入汲極 （想像它是NMOS 電晶 體）。 • 3. 源-汲電流夠高了 ，足以導致某些高能電子 越過絕緣層 ，並進入絕緣層上 的 FG，這種過程稱為 熱電子注入 。 由於汲極與 CG 間有一個大的 、相反的極性電壓，藉由量子穿隧效應可以將電子拉出 FG，所以能夠地用這個特性抹除 NOR Flash單元(將其重設為 「0」狀態)。現代的 NOR Flash 晶片被分為若干抹除片段(常稱為區扇(Blocks or sectors))，抹除操作 只能以這些區塊為基礎進行 ；所有區塊內的記憶單元都會被一起抹除。不過一般而 言，寫入 NOR Flash單元的動作卻可以單一位元組的方式進行 。 雖然抹寫都需要高電壓才能進行 ，不過實際上現今所有快閃記憶體晶片是藉由晶片 內的電荷幫浦 產生足夠的電壓 ，所以只需要一個單一的電壓供應即可。 NAND Flash NAND Flash NAND FlashNAND Flash NAND flash 一個快取記憶體儲存單元 NAND 閘快取記憶體利用穿隧注入(Tunnel injection)寫入 ，以及穿隧釋放(Tunnel release)抹除 。NAND Flash 在今天的隨身碟與多數記憶卡上都可看到。 SLC SLC SLCSLC 傳統上 ，每個儲存單元內儲存1 個資訊位元 ，稱為單階儲存單元單階儲存單元 (Single-(Single-Level Level 單階儲存單元單階儲存單元 (Single(Single--Level Level Cell,SLC)，使用這種儲存單元的快閃記憶體也稱為Cell,SLC) 單階單階儲存單元快閃記憶體儲存單元快閃記憶體 (SLC (SLC Cell,SLC)Cell,SLC) 單階單階儲存單元快閃記憶體儲存單元快閃記憶體 (SLC (SLC flash memory)，或簡稱flash memory) SLC 快閃記憶體 。SLC 快閃記憶體的優點是傳輸速度更快， flash memory)flash memor