拓扑绝缘体BiTe的热膨胀系数研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 11 (2014) 117301 拓扑绝缘体Bi Te 的热膨胀系数研究 李平原 陈永亮 周大进 陈鹏 张勇 邓水全 崔雅静 赵勇 1)(西南交通大学, 材料先进技术教育部重点实验室, 超导与新能源研究开发中心, 成都 610031) 2)(School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052 NSW, Australia) ( 2014 年1 月12 日收到; 2014 年2 月27 日收到修改稿) 利用低温X 射线衍射研究了Bi Te 晶体的线热膨胀系数. 结果表明: 拓扑绝缘体Bi Te 晶体的线热膨 胀系数∥ 和⊥ 表现为各向异性, 并遵从不同的温度依赖关系. 反映- 平面内的膨胀系数⊥ 在较宽的温 区内服从Debye 关系, 而反映垂直于- 平面方向的膨胀系数∥ 在100 K 左右就开始出现与Debye 模型在定 性上的差别. 利用Debye 模型并结合Bi Te 晶体的面内和层间原子之间的键合特性对 和 所表现出的 ∥ ⊥ 不同温度依赖特性进行了解释. 关键词: 拓扑绝缘体, 热膨胀系数, 德拜模型, 格律乃森关系 PACS: 73.40.–c, 65.40.De, 63.70.+h, 64.30.Jk DOI: 10.7498/aps.63.117301 有牢固简单的表面态, 因此是三维拓扑绝缘体材料 1 引 言 14 体系中最有趣的化合物 . 尽管这些化合物在20 世纪五六十年代作为卓越的热电材料进行过广泛 拓扑绝缘体是最近几年发现的一种新奇的量 的研究, 但是一些基本的物理性质仍然有待进一步 子物质态, 拓扑绝缘体所具有的特殊性质使其在未 认识. 热膨胀特性就是其中之一. 来的自旋电子学和量子计算等领域有着重要的应 热膨胀反映的是材料在加热和冷却过程中尺 用前景, 受到科学界的广泛关注1−5 . 近年来, 拓 寸大小和形状变化的趋势. 它对器件的设计与工程 扑绝缘体的研究在世界范围内进展迅速. 自拓扑绝 6 学应用都很重要. 因为其感应应变可以造成器件的 缘体被预言以来 , 典型的3D 拓扑绝缘体Bi Te , Bi Se 和Sb Te 相继被发现78 . 高质量的拓扑绝 形变并影响到其振动动力学. 此外, 热膨胀系数的