双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图及版图与剖面图的 .docVIP

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2017-09-03 发布于天津
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双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图及版图与剖面图的 .doc

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双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图及版图与剖面图的

附录一双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图及版图与剖面图的对应关系(草案) 工艺步骤掩膜版名称层厚度剖面图掩膜版淀积SiO2 3000? 淀积Si3N4 2200? 淀积多晶硅 3000? 刻蚀多晶硅 GPLT 阳淀积Si3N4* 2200? 刻蚀Si3N4* CNTC 阴淀积PSG 2( 刻蚀凸点 BUMP 阴 2000 ? 刻蚀支撑点（PSG，Si3N4） ANCH 阴淀积多晶硅 2( 淀积铝** 8000 ? 刻蚀铝** INTC 阳刻蚀多晶硅 BUMP 阳释放注：阴版代表版图中图形部分被保留，即实际结构与版图一致；阳版代表版图中图形部分被刻掉，即实际结构与版图相反；淀积过程目前先实现完全保形覆盖，即淀积膜的形状与衬底表面形帽完全一致。但当衬底上沟槽宽度小于淀积膜厚度时，该沟槽被填充，此时表面是平的（如图一所示）。但保留增加非保形覆盖功能的余地；刻蚀过程目前先完成完全各向异性刻蚀，即在垂直表面方向发生刻蚀，而横向尺寸保持不变。但保留增加各向同性腐蚀和更复杂腐蚀方法功能的余地； *项工艺为任选项，若不选，以下工艺中与该层Si3N4相关的图形均不出现；**也为任选项，如不选，以下工艺中与该层Al相关的图形均不出现。选择与否，根据工艺文件和版图而定。图一、淀积膜的不同覆盖情况图二、各向异性刻蚀和各向同性腐蚀示意图 Si Substrate Si Substrate Sacrificial Layer Structure layer Structure layer Structure layer Movable Structure Sacrificial Layer 非保形覆盖厚度槽宽厚度槽宽厚度槽宽厚度槽宽保形覆盖掩膜版（版图）掩膜版（版图）