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氧化鉿作為雙穩態電阻之記憶體 結論 參考資料 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 積體光學期末報告 授課教授:張文俊 學生:蘇峯毅 學號:M9930101 過渡金屬氧化物雙穩態電阻記憶體電阻轉換機制 陳邦旭，李亨元，林哲歆，蔡銘進 ITRI-2007電光先鋒期刊_RRAM_操作機制_陳邦旭-961126 大綱 前言 電阻式記憶體操作機制 氧化鉿作為雙穩態電阻之記憶體 結論 前言 在高溫超導體與透明導電電極蓬勃發展同時，過渡金屬氧化物(transition metal oxide)在先進電子元件中的應用，受到廣泛的注意。 金屬氧化物因具有許多優點，所以可以應用在許多方面的應用: 例如， 銦錫氧化物(Indium Tin oxide)已應用在光電元件太陽電池與平面顯示器的透明電極； 迄今過渡金屬氧化物廣泛應用在電容器導電電極，例如 RuO2 ； 透明電極或可橈性基版之載子通道層，例如ZnO ; 高介電絕緣層例如 ZrO2 ； 電性感測器例如HfO2 ； 奈米觸媒或電子轉移層，例如TiO2 ； 非揮發性記憶體元件 NiO ； 氫氣製作元件例如WO3 等等； 這也顯示過渡金屬氧化物應用上的廣泛。 【資料來源】過渡金屬氧化物雙穩態電阻記憶體電阻轉換機制 陳邦旭，李亨元，林哲歆，蔡銘進 ITRI-2007電光先鋒期刊_RRAM_操作機制_陳邦旭-961126 近年來，以過渡金屬為主的電阻式記憶體受到學術界與工業界相當重視；此記憶體與電晶體的架構如圖1所示，而電阻式記憶體有幾個主要的優點： (1)操作速度快； (2)可以以較低功率操作，所耗功率較少； (3)具有儲存電荷功能； (4)在微縮製程所受限制較少； (5)具有同一位元儲存多筆資料特性; (6)可搭配後續三次元積體電路建制; (7)其製程與目前互補式金氧半導體製程 相容高，且其無須額外光罩。 圖一 典型電晶體與電阻式記憶體之架構 【資料來源】過渡金屬氧化物雙穩態電阻記憶體電阻轉換機制 陳邦旭，李亨元，林哲歆，蔡銘進 ITRI-2007電光先鋒期刊_RRAM_操作機制_陳邦旭-961126 在絕緣層中雙穩態的現象產生前，利用偏壓所造成在絕緣層中電荷相互累積所造成的缺陷，此過程定義為形成製程（forming process）；此過程為一不可逆過程。隨後在絕緣層中，可分為因為電壓所導致的負電阻（voltage control negative resistance；VCNR）或電流所控制的負電阻（current control negative resistance；CCNR），以進行穩定電阻雙穩態的變換(如圖二所示)。 圖二 典型的(a) 電壓控制負電阻效應(b) 電流控制負電阻效應 【資料來源】過渡金屬氧化物雙穩態電阻記憶體電阻轉換機制 陳邦旭，李亨元，林哲歆，蔡銘進 ITRI-2007電光先鋒期刊_RRAM_操作機制_陳邦旭-961126 操作模式可以分為單極操作（unipolar）或雙極操作(bipolar)，如圖三所示，為對稱的單極操作，藉由限制電流作SET（開）與RESET（關）的循環操作。 圖三 典型電阻式記憶體之操作特性 【資料來源】過渡金屬氧化物雙穩態電阻記憶體電阻轉換機制 陳邦旭，李亨元，林哲歆，蔡銘進 ITRI-2007電光先鋒期刊_RRAM_操作機制_陳邦旭-961126 氧化物 電極 操作模式 (Switching mode) Set 時間 Reset 時間 PCMO(PrCaMnO3) Ag, Pt Bipolar 100 ns 100 ns PCMO(PrCaMnO3) Pt Unipolar 100 ns 5 us SrTiO3 Au Bipolar 100 ns 100 ns NiO Pt Unipolar 10 ns 6 us TiO2 Pt Bipolar 30 ns 30 ns CuOx Ni Bipolar 300 ns 300 ns TiOx Pt/TiN Unipolar 50 ns 50 ns 表一；為各種材料系統(氧化物與電極)，操作模式，SET時間與RESET時間之摘要 【資料來源】過渡金屬氧化物雙穩態電阻記憶體電阻轉換機制 陳邦旭，李亨元，林哲歆，蔡銘進 ITRI-2007電光先鋒期刊_RRAM_操作機制_陳邦旭-961126 電阻式記憶體操作機制 本文依單極操作與雙極操作，其操作機制分別敘述如下: 單極操作 電阻絲理論 (filament theory) Mott 轉變 (Mott transition) 雙極操作 電阻絲理論 蕭基(Schottky) 接面調變 空間電荷限電流（space charge limited cur