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SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究! - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
99 ’’ ## ’’ , , ,
73? 599 43 5 ’’ 43X1J1G ##
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!# %羟基表面上金属原子的第一性原理研究!
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姚红英 顾 晓 季 敏 张笛儿 龚新高!
(复旦大学物理系,上海 ##$%% )
( 年 月 日收到)
## $ ’
采用第一性原理方法研究了 羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现 和 在 羟基表面上的结
()* + ,- ./ ()* +
合很弱,而 , , 在该表面上与 ,形成强的化学键 等势能面和扩散势垒计算表明 ( )的扩散激活能只
01 23 4) () * 5 ,- ./
有 — ,表明这两种原子容易在表面上扩散 这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象
# 6 ’ # 6% 17 5 5
关键词:第一性原理,表面扩散,结合能,金属原子
: ,
’(( 8’$9: ;
的催化和金属催化中心的集聚失活过程提供一些理
’6 引 言 论依据5
低维无机纳米材料如纳米线、纳米棒在微纳电 6 计算方法和模型
子器件、传感器中具有广泛的应用,近来受到人们的
普遍重视5 硬模板法是采用最多的制备有序排列纳 鉴于实验研究使用的是高度有序的介孔氧化硅
[,]
米线阵列的有效而简便的方法5 目前常用的硬模板 ’
硬模板 ,我们以 的( )表面为基础
+2G)HI3J/?)I1 ’’’
!
主要是阳极氧化铝和有序介孔氧化硅5 尽管阳极氧 进行计算 采用( )晶面的层晶( )模型 层状结
5 ’’’ H?/J 5
化铝具有垂直膜平面的有序孔道排列,但是其孔径
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