阵元位置偏差对声基阵性能的影响.pdfVIP

2017年第 1 期 声学与电子工程 总第 125 期 阵元位置偏差对声基阵性能的影响 侯觉 陈伏虎 诸洁琪 （第七一五研究所，杭州，310023） 摘要 针对声基阵在实际应用过程中出现的阵元位置偏差，首先对阵元位置误差进行了数学建模， 在得到加入了误差因素的输出能量期望后，通过仿真得出在不同的阵元位置偏差下的波束图。然后进 一步得出指向性指数与位置偏差的关系式，再通过仿真进行量化的分析。仿真结果表明，推导得出的 公式可以用来估计阵元位置偏差对指向性指数与旁瓣级的影响。 关键词 波束形成；数学期望；位置误差；指向性指数 在实际的声基阵布阵过程中，由于阵元制造、 N 2πr ⋅u −r ⋅u 1 j ( ri di 0 ) D u f e λ 安装等外界因素的影响，阵元的实际位置往往会 ( 0 , ) N ∑ （1） i 1 与设计位置之间存在偏差。在进行波束形成时， 由于阵元的实际位置可能相对于设计位置 阵元位置信息往往会忽视这种偏差，导致计算得 往任意方向偏，所以可以用向量 α表示每个阵元 i 到的每个阵元在信号方向的声程差出现偏差，最 的偏差量，则阵元的实际位置为 r 与设计位置 r 终补偿相位差也不准确，这会影响波束形成的效 ri di 的关系： 果和声基阵的指向性指数。本文通过对阵元位置 r +α r （2 ） 误差的数学模型，量化分析了阵元位置偏差对声 di i ri 则复数输出模型可以写为 基阵性能的影响。 N 2π r ⋅ u −