以CeO2为闸极氧化层的MOS(Metal-Oxide - 铭传大学电子系.PDF

電子工程學系碩士班 碩士論文 硼摻雜氧化鋅薄膜電阻式記憶體之可靠度 與電性量測與分析 The Measurement and Analysis of Reliability and Electrical Chracteristics in Boron doped-Zinc Oxide (ZnO:B) Thin Film RRAMs 研 究 生：陳誌錡 指導教授：邱福千 教授 中 華 民 國 1 0 4 年 3 月 致謝 這次的論文研究，最要感謝的就是邱福千老師在這段期間不辭辛勞的指導與 諄諄教誨。老師先是教導我們量測上的技巧，並給予設備 上的支援，也開了很 多課讓我們對於半導體領域有了更深一層的認識及觀念上的釐清 。我們不只學 會了整理量測出來的數據，也懂得如何分析與驗證，同時也在老師身上學到許 多寶貴的經驗與對學問的嚴謹態度。除此之外，也非常感謝老師給我很多機會 參加了數場國內及國際的研討會，如韓國 、新加坡等國際研討會，增加自己研 究的視野及國際觀。從研一在國內 參與各種類型的研討會，聆聽各領域學長姐 及先進的報告，累積了許多經驗，到研二之後開始在國內外發表自己的研究成 果。也因此在研究所期間訓練了 上台發表自己的研究成果 ，對於自信心方面也 有長足的長進 ，這對我來說是除了研究之外非常大的收穫，更是在研究所期間 難能可貴的經驗。 此外也感謝系上所有的老師，給予我們的指導與教誨。 特別感謝系秘琪雅與電子系助教們 對我們的照顧與幫忙，也感謝所有的研究 室同學及學弟妹們，陪我一起度過這充滿回憶的研究生涯。 最後要感謝的是我的家人 ，因為有你們的支持 ，我才能無憂無慮的在銘傳求 學，謝謝你們給予我這一切美好的生活。 謹以此文獻給我摯愛的家人 、師長與同學。 i 摘要 以硼參雜氧化鋅 (BZO) 為介電層的 MIM (Metal-Insulator-Metal) 電容器已 被製造和研究用於非揮發性記憶體之應用 。利用 直流濺鍍 (DC Sputtering)的方式 沉積氧化鋅 薄膜以及不同氧流量的物性 X 射線光電子能譜儀 (X-ray photoelectron spectrometer, XPS)分析與比較。薄膜電流傳導機制方面，當元件於 高阻態時，在電場 大於0.4 MV/cm時 ，為跳躍傳導 (Hopping conduction) 來主 導介電質中的電流傳導機制；當元件於低阻態時， 為歐姆傳導 (Ohmic conduction) 來主導介電質中的電流傳導機制 。有關於 WTi / BZO / WTi 元件的可 靠度特性研究，包含元件耐久度 (Endurance) 、資料持久性(Data retention) 與 讀取持久性 (Reading durability) 特性等，在本實驗中均有被量測分析。而藉由 直流電性量測分析，元件之電阻轉換機制亦被探討。 關鍵字：硼參雜氧化鋅 ，X 射線光電子能譜儀 ，跳躍傳導，歐姆傳導，元件耐 久度，資料持久性，讀取持久性。 ii Abstract In this work, metal-insulator-metal (MIM) capacitors with Boron doped ZnO dielectrics were fabricated and investigated for non-volat