以脉波调变射频电浆功率技术改善矽奈米晶粒电致发光效率之研究.PDF

中文摘要 在本計畫中我們以電漿加強化學氣相沉積系統在不同的 SiH 及 NH 流量比條件下製作 4 3 o 具有不同N/Si原子比的 a-SiN :H 薄膜。a-SiN :H 薄膜分別以爐管於1200 C下退火 1.5 小時 x x o 或以 400 升溫至 1000 C 脈波快速退火短暫施以熱量使矽奈米晶粒 (nc-Si)形成於 SiN 網絡 x 中 。試片的 光致發光強度隨 N/Si 比例增加而增強，發光頻譜位於 450 至650 nm 綠光範圍 內為 nc-Si貢獻之發光 ，另在 530及 630 nm有兩個特徵峰可能來自於 Si-N及 Si-O鍵結之 貢獻 。未退火之試片在小於450 nm的發光則 來自於Si-H及 N-H 鍵結之訊號 。 關鍵詞 ：電漿加強化學氣相沉積、a-SiN :H 薄膜、矽奈米晶粒 、退火 、光致發光 x 英文摘要 Different nitrogen to silicon (N/Si) atom ratio of a-SiN :H films were fabricated by x plasma-enhanced chemical vapor deposition with changing SiH and NH gas ratio. The a-SiN :H 4 3 x o o films were annealed by furnace at 1200 C for 1.5 h or 400 to 1000 C pulse-wave rapid thermal annealing to conduct the formation of nc-Si dots in the SiNx network. After annealing, the nc-Si dots formation are confirmed by the crystal silicon TO mode of Raman spectra. The int