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关于MOSFET 的静电损坏 作者：无锡固电半导体股份有限公司ISC 技术部，保留一切版权，任何人和公司不得转载 使用 MOS 晶体管及用于微波通信的超高频低噪声器件，在开发设计时，采用了非常 精细的结构，以达到其严格要求的特性。另外，因为工作频率为 VHF～SHF 波段的高频， 所以必须尽可能降低寄生参数，由于很难插入足够的保护电路，所以抗静电放电和外加电涌 电压能力非常弱，因而非常容易损坏。鉴于以上原因，在处理上述超高频低噪声器件时，必 须十分注意，以免损坏产品。以下是关于防止静电损坏的一般注意事项的说明。 一 静电现象 在冬季，脱下化纤衬衫或毛衣时，会有火花出现，并伴随有噼里啪啦的放电现象；与氯 乙烯材料的垫子摩擦后，头发会被吸住。这些都是人们所熟知的静电现象。前者现象中，衣 服的电位通常为 6,000V 到 10,000V。静电的带电现象因产生原因的不同，可分为很多种， 其大小也各不相同。如果将上述静电外加至器件，根据其大小，有可能导致最严重的损坏。 因此，必需采取适当的防带电措施或除电措施。关于静电的带电大体上分为两类，一类是由 外部施加的机械能转化来的电能(A、B)，另一类是直接施加的电能(C、D)。 表 1 静电带电的分类 区分 带电原因 带电名称 备注 接触带电 电子的移动、离子的交换等。 剥离带电 同上，一般强度的带电。 加压带电 压电作用、接触面积增加等。 A 接触和分离 摩擦带电 除接触面积增加以外，还包括变形、散热等。 喷出、破碎带电 冲突、摩擦、破碎分极等。 流动带电 液体与气体间、固体间的相互摩擦。 机器的或者加热变 压电作用、电荷的位置变化等。 B 变形与变态 形 冻结，溶解等 离子迁移率的差别。 感应带电 电荷的转移。 C 外部电场 离子附着 空气中的离子附着、离子的注入。 辐射带电 D 电磁波 X 射线或光电子的释放。 光带电 二 防止静电的产生 （a）实际上防止静电的产生是很困难的。通过防带电措施来急剧减少产生的电荷，正在实 际应用中。 （b） 静电的产生随着相对湿度的下降而增大。特别是降到 40%以下后，会突然变得十分 容易产生静电。因此在冬季需要采取相应的加湿措施。 （c） 由于剥离与摩擦而产生的静电，随着接触面积、压力、分离速度的增大而增大。因此， 请避免高速摩擦和剥离。 防带电的方法： (a) 防止导体带电 ·基本方法是通过接地方式将电荷泄漏到地面。 ·接地电阻最好不超过 100Ω。 ·即使对于设备中不完全导体的部分，只要贴着金属导体进行间接接地，就会产生效果 （导电率：≥1×10-8S/m、表面电阻：≤1×109Ω 的固体表面）。 （b）防止绝缘体带电的方法 ·涂抹带电防止剂。 ·混连入带电防止剂。 ·改变高分子聚合物的表面层材质。 ·改为含有导体的复合材料。 ·调整相对湿度 （最好大于等于 RH 50%） 三 静电防护措施 (1) 埋设防静电底线 (2