CIGS太阳电池电池结构.pptVIP

; CIGS是直接带隙材料，已知的半导体材料中光吸收系数最大，最适合薄膜化。CIGS膜厚度1-2um时就可以将太阳光全部吸收，大大降低了材料的成本，而多晶硅膜太阳电池其膜厚通常在20-30um。 CIS等其他黄铜矿结构能容忍较大的化学计量比偏差，其最大的优点是多晶CIS具有与其单晶相类似的电学特性，因此CIS基太阳能电池对杂质、粒径以及晶体缺陷不如其他电池那么敏感。; CIGS是由Ga取代CIS中部分的In得到黄铜矿结构的四元化合物，因此能进行带隙剪裁。太阳能理想的吸收禁带宽度为1. 45~1. 5eV，而CIGS的禁带宽度可在1. 02~1. 68eV范围内调整，这就为薄膜太阳电池最佳带隙的优化提供了新的途径。 可带隙调整是相对于Si系和CdTe系太阳电池的最大优势。研究发现随着掺Ga量从0到0.34，转化效率提高，进一步增加Ga的量，转化效率反而降低。此外，掺Ga可提高薄膜的附着力，但同时也会降低短路电流（Jsc）和填充因子（FF），因此掺Ga量需要优化，实验证明Ga/In+Ga≈0.3比较适合。;通常使用鈉玻璃(Soda-lime) 基板，鈉玻璃除了價格便宜外，熱膨脹係數與CIGS 吸收層薄膜相當接近。 在成長薄膜時，因基板溫度接近鈉玻璃的玻璃軟化溫度，所以鈉離子將會經過鉬金屬薄膜層擴散至吸收層。 當鈉離子跑至CIGS 薄膜時，會使薄膜的晶粒變大，且增加導電性，