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- 2017-06-30 发布于浙江
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寄生参数对SiCMOSFET栅源极电压影响的研究_巴腾飞
2016 年 7 月 电 工 技 术 学 报 Vol. 31 No. 13
31 13 Jul． 2016
第 卷第 期 TＲANSACTIONS OF CHINA ELECTＲOTECHNICAL SOCIETY
寄生参数对 SiC MOSFET 栅源极电压
影响的研究
巴腾飞 李 艳 梁 美
( 100044)
北京交通大学电气工程学院 北京
(SiC)MOSFET ，
摘要 为分析寄生参数对开关过程中碳化硅 栅源极电压的影响 首先建
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