干胶膜在微图案制作中的应用研究.PDF

2011 年 8 月 机电技术  75 干胶膜在微图案制作中的应用研究 陶巍 杜江 (厦门大学机电工程系 福建 厦门 361005) 摘 要：采用干胶膜代替传统的光刻胶进行微图案的制备，并研究了工艺过程中的前烘时间、光刻时间、显影时间、 显影液浓度等参数对微图案的影响。通过实验，研究发现当烘时间为 30 min、光刻时间为 80 s （光源为350 W 汞灯）、 显影时间为 90 s、显影浓度为4% （显影液为Na2CO3 溶液）时，可以成功制备出分辨率为 50 μm 的图案线宽。 关键词：干胶膜； 微图案； 光刻 中图分类号：TN405.7 文献标志码：A 文章编号：1672-4801(2011)04-075-03 早在 1954 年杜邦公司推出了光致抗蚀干膜 1 干胶膜图案制备实验过程 后，光致抗蚀干膜就被广泛地应用于印刷电路板的 制造[1] 。除了应用于印刷电路板外，光致抗蚀干膜 实验采用日立光致抗蚀干膜，该干胶膜属于负 还应用于微机械电子系统、电镀模具、电极和微观 胶，其厚度为 20 μm 。所采用的基底为4 寸大小的 [2] 硅片。实验过程主要分为以下几步： 结构的制作 。在制作微器件的过程中，有时会不 可避免的对含有孔洞或者台阶的基底进行光刻，但 1.1 硅片的清洗 是采用传统的光刻胶在涂胶的过程中就会存在涂 实验中所用基底为带氧化层的硅片，故采用 胶不均匀的问题从而导致光刻后图形线宽不均匀 先Ⅲ液再 Ⅱ液的清洗方法。首先是Ⅲ液的配制， Ⅲ液按浓 H SO ∶H O =4 ∶1 的比例进行配制， 等缺陷。为了解决这类问题，本文采用光致抗蚀干 2 4 2 2 实验中用量筒量取 H O 180 mL，倒入石英杯中， 膜来代替传统的光刻胶进行微图案的制作。 2 2 [3] 接着量取浓 H SO 720 mL，使之沿石英杯的杯壁 光致抗蚀干膜 由聚酯薄膜、感光胶膜和聚乙 2 4 缓慢的流入 H O 中，然后开启电炉，将石英杯放 烯薄膜三层组成，如图 1 所示。最上面一层为聚乙 2 2 烯薄膜，用于保护感光胶膜，使未全部干燥的感光 在电炉上加热至Ⅲ液沸腾。接着用热的去离子水 胶膜在卷缠时，不与聚酯膜背面粘搭。中间一层为 将硅片冲洗至少 5 遍，然后用冷的去离子水将硅 感光胶膜层，这是干膜的关键成分，用以转移图像。 片冲洗至少 5 遍。接下来就是 Ⅱ液的配制，Ⅱ液 按浓 HCl ∶H O ∶H O=1 ∶1 ∶5 的比例进行配 最下面一层为聚酯薄膜，它是感光胶膜的载体。 2 2 2 制，实验中用量筒量取 H2O2 200 mL ，倒入石英 杯中，接着量取浓 HCl 200 mL 倒入其中，接着量