性能逼近SiC 的GaN 功率元件，耐压超过1kV 的电晶体面世.PDF

性能逼近 SiC 的 GaN 功率元件，耐壓超過 1kV 的電晶體面世 2011/05/25  取自技術在線  繼 Si 之後，SiC（碳化矽）和 GaN（氮化鎵）作為新一代功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的材料備受關注。SiC 和 GaN 均已開始產品化，耐壓在 600V 以上的產品採用 SiC 、耐壓在 600V 以下的產品採用 GaN。不過，這種「常識」 將被顛覆的可能性越來越大。原因是日本風險企業 POWDEC 成功試製出了耐壓為 1.1kV，而且能夠低成本製造的 GaN 類功率電晶體（圖 1）。由此，在白色家電、電動汽車和產業設備等需要高耐壓產品的用途中，新一代功率元件的可 選範圍將越來越大。 試製的耐壓為 1.1kV 的 GaN 類功率元件（攝影：POWDEC） 在 GaN 類功率元件的研發產品中，已經推出了耐壓超過 1kV 的產品。不過，這些產品或採用了特殊構造，或採用了 高價位的 GaN 基板，難以實用化。 追加無摻雜 GaN 層和 p 型 GaN 層 此次的試製品除實現了超過 1kV 的耐壓外，還抑制了工作時導通電阻會增大的「電流崩塌」（Current Collapse） 現象。原來的 GaN 類功率電晶體，一般通過名為「場板（FP）」的電極構造來兼顧耐壓的提高和抑制電流崩塌現象 的出現。不過，POWDEC 認為這種方法難以獲得 1kV 以上的耐壓，因此沒有採用 FP。因為如果載入電壓過高，工作 時電場匯集中在柵極電極端和 FP 端，兩端的電場強度會變得極強，這樣容易產生絕緣破壞。另外，電場集中會在工 作時增加從柵極電極洩漏出來的電子，而這正是產生電流崩塌的原因之一。 圖 1：實現了 1.1kV 的高耐壓和抑制電流崩塌 POWDEC 在藍寶石基板上試製出了 GaN 類功率電晶體 （a）。耐壓高達 1.1kV （b）。加大漏極電壓後，導通電阻就會變大的「電流崩塌」現象（c）。（圖 由本站根據 POWDEC 的資料製作） 因此，POWDEC 在柵極和漏極間追加了不含雜質的無摻雜 GaN 層和 p 型 GaN 層，從而提高了耐壓和抑制了電流 注 1） 13 -2 崩塌 。通過追加這兩層，上方 GaN 層和 AlGaN 層的界面會產生 2D 空穴氣體（2DHG）。其濃度為 1.4×10 cm ， 13 -2 與下方 GaN 層和 AlGaN 層界面產生的 2D 電子氣體（2DEG）的濃度 1.0×10 cm 基本相同。將 2DHG 的濃度與 2DEG 保持在同一水準，有助於提高電壓、抑制電流崩塌。 注 1）試製品的構造原是由日本產業技術綜合研究所的中島昭提出來的。 提高耐壓的原因是，在高濃度 2DHG 的作用下，「所有通道會像 Super-Junction 構造的 Si 制 MOSFET 一樣空乏化，成 為絕緣體」 （POWDEC）（圖 2）。而電流崩塌得到抑制的原因是，電場集中現象不易出現，有助於減少洩漏電子