氧化锌纳米线阵列的制备及发光特性研究-中国科学.PDF

中国科学 E 辑 : 技术科学 2009 年 第 39 卷 第 2 期 : 256 ~ 260 SCIENCE IN CHINA PRESS 氧化锌纳米线阵列的制备及发光特性研究 * 张斌, 周少敏 , 刘兵, 巩合春, 杜祖亮, 张兴堂 河南大学特种功能材料教育部重点实验室, 开封 475004 * E-mail: smzhou@ 收稿日期: 2007-08-18; 接受日期: 2007-12-18 国家重点基础研究“973”前期专项(批准号: 2007CB616911)、河南省高校科技创新人才支持计划(批准号: 2008HASTIT002)和河南省创新型 科技人才队伍建设工程 摘要 采用物理气相沉积的方法, 在较低的温度下(500 ℃)制备出高产率的高度有序的单 关键词 晶氧化锌纳米线阵列. 对所制得的氧化锌纳米线阵列进行表征发现其在[001]取向优先生长. II-VI 族半导体 室温光致发光谱测试发现, 样品在紫外光激发下有很强的绿光发射(峰值波长约500 nm)和稍 纳米结构 弱的紫外光发射(峰值波长约 380 nm). 基于其优异的发光性能, 初步探讨了其发光机理, 并 光致发光 对其生长机制进行了简单的讨论. 一维和零维的氧化锌半导体材料以其优异的性 且危险性很大. 王立晟等人利用PVD 技术在蓝宝石 能以及他们在陶瓷, 压电传感器, 催化剂, 发光器件 衬底上生长 ZnO 纳米线阵列[10]. 但是需要在生长 等领域具有潜在的应用前景, 从而引起了人们广泛 ZnO 纳米线之前, 用脉冲激光沉积的方法沉积一层 的关注[1~24] . 较之宏观无序的一维氧化锌(ZnO)纳米 ZnO 缓冲层, 因此过程复杂, 要求的实验条件较高, 结构, 高度有序的阵列结构在纳米器件的构筑方面 成本昂贵. 然而本工作中报道的PVD 技术, 不需要复 更具有优势. 自从Huang等人发现在蓝宝石衬底上定 杂的过程和昂贵的仪器, 在较低的温度下就能制备 向生长的ZnO纳米线可以被用作纳米激光器以来, 合 出高质量的单晶ZnO 纳米线阵列. 光学性质表征显 成一维高度有序的ZnO 纳米结构引起了材料科学家的 示我们制备的纳米线阵列具有高度的结晶性和优异 极大兴趣. 制备ZnO 纳米线阵列的方法有很多, 常见 的绿光发射, 因此该ZnO 纳米线阵列在构筑纳米光 的方法有化学气相沉积, 金属有机化学气相沉积, 脉 电子器件方面将会有很好的应用前景. 冲激光沉积, 溶胶凝胶模板法和湿化学法等[2~6]. 然而, 1 实验部分 这些方法要么需要昂贵的设备仪器, 要么就是过程太 实验中所用药品均为分析纯. 先将p 型硅基底用 复杂且对人体有害, 容易造成环境污染. 物理气相沉 丙酮和乙醇超声清洗, 然后将浓度为 0.02 M 的硝酸 积(PVD)没有以上所说的那些缺点, 它是制备薄膜材 镍和乙醇的混合溶液滴加到该基底上. 待硅基底干 料很好的方法之一, 因为这种方法简单、样品成分可 燥之后, 在400 ℃的温度下退火, 最终在该基底上形 控、并且对环境没有污染. 近年来, 有一些关于用PVD 成一层均匀的氧化镍. 将有锌粉的氧化铝瓷舟置于水 方法制备ZnO纳米线的报道[7~10,19,22]. 例如, 王中林研 平管式炉中央, 然后在瓷舟上加盖上述硅基底并抽真 究小组在 1400℃的高温下合成出ZnO纳米(线)带, 且 −3 3