半导体物理学刘恩科第七版第五章非平衡载流子.pptVIP

第五章 非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6载流子的扩散运动 5.7 漂移运动 5.8 连续性方程 对强n型半导体(Et在EF之下)：n0、p0、n1、p1中n0最大，即n0p0 寿命简化为 对n型较重掺杂半导体，对寿命起主要作用的是复合中心对少数载流子空穴的俘获系数rp, 而与电子俘获系数rn无关。 对高阻半导体， EF在Et 与Ei之间， n0、p0、n1、p1中p1最大，即p1 n0， p0、n1， 并且 n0 p0 强n型、强p型、及高阻区是相对的，与复合中心能级Et的位置有关。 一般地，禁带中央附近的深能级Et是最有效的复合中心。 如CU, Fe, Au等杂质在Si中形成深能级，是有效的复合中心 浅能级，不是有效的复合中心 总结 假设复合中心是具有一定半径的球体，其截面积为?,截面积越大，俘获载流子的概率越大。 ?描述了复合中心俘获载流子的本领。 ?-描述电子俘获截面，?T载流子热运动速度 ?+描述空穴俘获截面 电子、空穴的俘获系数 深能级复合中心举例 Au在Si中为深能级， 双重能级：受主能级EAt, 距导带0.54eV; 施主能级EDt, 距价带0.35eV; 两能级其主要作用不同 N型Si：若浅施主不少，E