单元5电工电子技术.ppt

5.5 半导体三极管 0 UCE/(V) IC/(mA) 3.饱和区:曲线上升部分,UCE很小，UCE＜UBE　　 特点：IC不受IB控制，失去放大作用。 IC1 IB1 IC2 IB2 ?IB ?IC 变化小,不成比例 饱和区 三个工作区域 UCES饱和压降 5.5 半导体三极管 三极管工作状态区分 放大区 饱和区 截止区 e结 正向偏置 正向偏置 反向偏置 c结 反向偏置 正向偏置 反向偏置 UCE= UCB+ UBE UCE UBE时:UCB为负，由反向偏置转为正向偏置。 UCE= UBE时:UCB为零； + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 5.5 半导体三极管 UCE= UCB+ UBE 深度饱和：UCE UBE，UCB为负。 临界饱和：UCE= UBE，UCB为零。 小功率管深度饱和时： 硅管UCES ? 0.3V~0.5V 锗管UCES ? 0.1V~0.2V + - UCB + - UCE + - UBE EB + - EC + - RC RB b c e 三极管工作状态区分 5.5 半导体三极管 三极管工作状态区分 放大区 饱和区 截止区 e结 正向偏置 正向偏置 反向偏置 c结 反向偏置 正向偏置 反向偏置 e结c结均反向偏置。 + - UCB + - UCE + - UBE EB +