氮化硅刻蚀膏初步调研报告.docVIP

氮化硅蚀刻膏前期调研报告 一、氮化硅蚀刻膏 1.使用工艺 使用传统的丝网印刷工艺将刻蚀膏印刷在含有氮化硅掩膜的基材上，印刷完成后在一定温度下烘烤后,蚀刻氮化硅掩膜。 2.性能指标 A.基本功能：蚀刻氮化硅掩膜层，且不损伤ITO和Moalmo层； B.良好的印刷性能； C.良好的稳定性：印刷及存储过程中（常温）不变质，且常温不能刻蚀氮化硅掩膜，烘烤过程中能迅速刻蚀氮化硅掩膜； D.易脱膜：刻蚀完成后易去除。 二、相关技术资料 1. 氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池 在艾凡凡等关于“氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池”一文中，在硅片表面镀一层80nm厚的氮化硅掩膜，然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面，腐蚀出电极图形。 2. 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率 在肖芳等关于“氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率”一文中，使用热磷酸湿法刻蚀氮化硅，其中磷酸刻蚀氮化硅层的反应机理为： 3. 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法（专利） 介绍的是磷酸刻蚀液，在磷酸刻蚀氮化硅反应中，磷酸作为催化剂使用，从反应平衡来看，随着氮化硅刻蚀量的增加，形成的二氧化硅会逐渐增加，由于二氧化硅会与磷酸反应（二者反应是有条件的，浓且热的磷酸才可与之反应，通常不反应），故该副产物二氧化硅会降低半导体衬底表面氧化层的刻蚀速率，从而增加了氮化硅和氧化层的刻蚀选择比，进而使得刻蚀趋于稳定。 提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，当所述添加剂为氮化硅时，所述氮化硅的剂量为Y=(0.014*X-1.4)*a；其中X为所述刻蚀选择比的值，且X为150:1-250:1 中的任意值，a为所述添加剂中氮化硅的密度值，氮化硅为SixNy，不同的x和y的氮化硅的密度值a不相同，如Si3N4的密度值a为3.44 ；如生产需要氮化硅层 和氧化层的刻蚀选择比为150:1，且添加剂为氮化硅时，则氮化硅的剂量为Y=0.7a。当选择比大于250:1时，该氮化硅的剂量大于2.1a且小于3a，这是因为，当生产需要的氮化硅层和氧化层的刻蚀选择比较大时，由于已经添加足够量的氮化硅添加剂，使得反应处于平衡，从而使得反应趋于稳定，所添加的氮化硅添加剂只需保持稳定的反应即可。 4. 酸洗和热氧化对氮化硅粉料表面特性与浆料流变性能的影响 代建清等提到，使用氮化硅粉料制备水性浆料时，为了提高氮化硅在体系中的分散性，采用了酸洗和热氧化工艺处理粉体，去除了绝大部分可溶性高价（Ca2+和Mg2+）及颗粒表面的Si-O-Si基团，可显著改善了粉料的分散性，使用的分散剂为10wt％的四甲基氢氧化铵溶液。 5. 表面水解和热氧化对氮化硅粉料表面特性及分散特性的影响 马天等人在文章中提到，用去离子水为分散介质，以质量分数10％的四甲基氢氧化铵((CH3)4NOH)水溶液作分散剂配制氮化硅浆料，球磨24 h，并调整其pH值为11.5±0.3，氮化硅粉料和去离子水以及10％四甲基氢氧化铵溶液比例为100 g：60 ml：10 ml。 初始粉体因为含有大量的憎水性硅氧烷Si-O-Si基团，表面水解处理利用了Si-O-Si基团碱性条件下的水解反应： Si-OH更有利于氮化硅颗粒表面带负电，这有利于形成静电排斥的氮化硅水基浆料。 随后进行了热氧化工艺处理（粉料在空气气氛下600℃，6h热氧化处理），氮化硅粉料在空气气氛下加热时，颗粒表面胺类基团SiNH2和Si2NH因发生氧化而减少，热氧化处理使氮化硅颗粒表面富氧层中的相邻Si-0H基团发生脱水反应而生成Si-O-Si基团。热氧化处理使离子电导率和可溶性高价反离子浓度降低，从而大幅度的提高了粉体的分散性能。 试验中使用的4种商业氮化硅粉料的初始分散性能都很差，不能直接制备固相含量高于50％的水基浓悬浮体，表面水解加热氧化处理使4种氮化硅粉料的分散性能都大为改善，4种粉料的50％浆料的表观粘度在很低的剪切速率下就小于1 Pa.s。因此水解和随后的热氧化处理是1种普适性的制备氮化硅水基浓悬浮体的新方法。 6.分散剂对氮化硅浆料流变性的影响 刘学健等研究了分散剂对浆料流变性的影响，选用德国Starck公司的Si3N4粉体作为研究对象，使用的分散剂是一种小分子的无机化合物钠盐，它是依赖带有负电荷的阴离子基团在Si3N4粒子表面的吸附，通过静电稳定机理进行分散的。 结论：Si3N4粉料在pH=11左右，分散剂用量在0.81.2wt%时具有最佳的流动性。.氮化硅陶瓷的应用和酸腐蚀研究进展 文中测试了不同酸对氮化硅陶瓷的腐蚀，H2SO4，HNO3，HCl，总体看来 ，氮化硅陶瓷在三种酸中的抗腐蚀性还是比较强的，三种等浓度的无机酸的腐蚀趋势基本一致。H2SO4溶液中失重更严重，这是因为H2SO4溶液中H