高频光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的精密度分析.pdfVIP

中国检验检测 ２０１７年第２期 － － － 文章编号: １００５ ３３８７ (２０１７) ０２ ０００９ １３ 高频光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的精密度分析 １ ２ 张园园 杨素心 (１. 洛阳中硅高科技有限公司, 洛阳 ４７１０２３；２. 中国有色金属工业标准计量质量研究所,北京 １０００８０) 摘 要: 为验证少子寿命是否可做为太阳能级多晶硅级别判定的技术指标, 将原生多晶硅区熔为硅单晶后, １５家光伏 实验室采用高频光电导法测试少子寿命。 分别对硅单晶的表面和端面进行测试, 分析两者重复性的差异, 确定少子寿命取 χ２ 值已表面测试为准。 采用Ｚ 比分数法对数据进行重复性检验、 ｕ值检验法进行准确性分析、 检验法进行再现性分析, 最 终得出少子寿命可作为多晶判级依据的结论。 关键词: 太阳能级多晶硅； 少子寿命； 准确性； 重复性； 再现性 － 中图分类号: ＴＢ９７３ 文献标识码: Ａ ＤＯＩ: １０.１６４２８/ ｊ.ｃｎｋｉ.ｃｎ１０ １４６９/ ｔｂ.２０１７.０２.００３ 哪种测试位置能得到较高的准确度和重复性, 是本 ０ 引言 文探讨的两个问题。 随着光伏产业的不断扩大, 太阳能电池对多晶 １ 实验部分 硅材料需求量猛增, 其速度高于电子级多晶硅的发 展。 伴随太阳能电池对高转换率、 低衰减率等高品 １.１ 实验流程 质的追求, 对原生多晶无论在内在性能还是外观形 少子寿命的检验为非破坏检验, 为保证样品的 态以及包装形式上都提出了更细、 更高的要求。 其 统一性采取样品流转的方式进行, 征集国内１５ 家 中少子寿命是影响太阳能电池片寿命的关键因素, 大型的光伏材料实验室进行重复性和再现性验证实 但是原生多晶的少数载流子寿命是通过区熔单晶的 验, 样品按照事先制定的流转顺序进行流转测试。 形式表示出来, 区熔单晶的过程进行了重新排列和 １.２ 实验方法 － 排杂, 而太阳能电池片是有位错和缺陷的, 并且在 按照 ＧＢ/ Ｔ １５５３ ２００９ 硅和锗体内少数载流子 铸锭过程中引入的杂质远高于原生多晶本身, 因此 寿命测定 光电导衰减法中附录Ａ 硅单晶少数载流 从客户的角度, 原生多晶的少子寿命并不被关注。 子寿命测定高频光电导衰减法进行测试。 但是少子寿命的测试方法比较快捷, 在一定程度上 １.３ 参与实验室分析仪器 直观反映金属杂质含量的多少, 并且少子寿命的测 各实验室均采用广州昆德科技有限公司生产的 试位置, 行业内普遍存在表面测试和端面测试两种 高频光电导少子寿命测试仪, 光源均为红外发光 测试位置, 因此少数载流子寿命是否作为 《太阳 管, 红外波长在 １.０６~１.０９μｍ之间, 不同实验的 能级多晶硅》 的技术指标, 如果作为技术指标, 设备型号和测试条件如表１所示。 表１ 设备型号和测试条件一览表 温度