CMOS模拟3概要1.pptVIP

§1-1 双极型集成电路工艺(典型的PN结隔离工艺)(P1~5) 思考题 1.1.1 工艺流程(三极管和一个电阻） 1.1.1 工艺流程（续1） 1.1.1 工艺流程（续2） 1.1.1 工艺流程（续3） 1.1.1 工艺流程（续4） 1.1.1 工艺流程（续5） 1.1.1 工艺流程（续6） 1.1.2 光刻掩膜版汇总 1.1.3 外延层电极的引出 1.1.4 埋层的作用 1.1.5 隔离的实现 1.1.6 其它双极型集成电路工艺简介 1.1.7 习题 §1.2 MOS集成电路工艺（N阱硅栅CMOS工艺）(P9~11)参考P阱硅栅CMOS工艺 思考题 1.2.1 主要工艺流程 1.衬底准备 1.2.1 主要工艺流程 2. 氧化、光刻N-阱(nwell) 1.2.1 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 1.2.1 主要工艺流程 4. 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active) 1.2.1 主要工艺流程 5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 1.2.1 主要工艺流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶 （polysilicon—poly) 1.2.1 主要工艺流