复旦-半导体器件-仇志军 第四章小尺寸MOSFET的特性概要1.pptVIP

*/75 4.3 MOSFET的按比例缩小规律17 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 1. xj xj ? RS , RD ? gD(线性), gm(饱和) ? 对策：自对准金属硅化物技术 Salicide（Self-aligned silicide） */75 4.3 MOSFET的按比例缩小规律18 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 2. tox Fowler-Nordheim 隧穿电流： 要求：Jg Jpn 例如，Jgmax = 10?10 A/cm2，则 Eoxmax = 5.8 MV/cm ? ~ 几十 ? */75 4.3 MOSFET的按比例缩小规律19 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 2. tox High-k Gate Dielectric High-k dielectrics provide higher capacitance and reduced leakage EOT (Effective Oxide Thickness) */75 4.3 MOSFET的按比例缩小规律20 4.3.3 Scaling 的限制及对策（新结构） 3. WS , WD (1) Nch 和 VT 的 scaling WS , WD ? NA ? VT ? 或至少不上