307-325nm波长AlGaN基紫外光探测器.pdfVIP

《半导体光电~2007年 12月第 28卷第6期 岑龙斌 等： 307～325 nlTl波长AIGaN基紫外光探测器 307~325 am波长AIGaN基紫外光探测器 岑龙斌，桑立雯，周绪荣，秦志新，张国义 (北京大学 物理学院人T微结构与介观物理实验室。北京 100871) 摘 要： 通过在GaN缓冲层上先生长一层20 nm厚的A1N插入层，成功地在此插入层上生 长出了200 nm厚的A1 Ga卜 N(0．22 0．28)材料。研究并优化了A1 Ga 一 N材料上的Ti／ A1／Ni／Au欧姆接触和Ni基肖特基接触的形成条件。20 nm／150 nm／20 nm／200 nm的Ti／A1／Ni／ Au金属层在 N 氛围中，700℃下，快速热退火处理 120 S后，其欧姆接触的比接触电阻率为 3．13×10 Q·cm 。研究表明，当A1 Ga 一 N材料中A1组分 0．20时，其上 Ni基肖特基势 垒高度几乎是不变的。在O 氛围中，300。C下，对A1 Ga 一 N材料上 10 nm厚的金属Ni层氧化 90 S，得到了此Ni层在314 nm的透射率由57．