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上一次课的主要内容 从原始硅片到封装测试前的关键工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 工艺：光刻、刻蚀 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 工艺：扩散，离子注入 ，退火 薄膜制备：制作各种材料的薄膜 工艺：氧化，化学气相淀积，物理气相淀积 工艺集成 工艺集成：组合工艺，制备不同类型的集成电路 栅电极： 重掺杂的多晶硅 隔离工艺 MOS晶体管结构: 自隔离性 相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏 MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启 增大场氧化层厚度 提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值 LOCOS隔离 连线 接触孔 金属连线 形成穿通接触孔 化学气相淀积磷硅玻璃 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻第二层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅(PECVD) 光刻钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形，刻出压焊点 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 澎昂舷蕴智稳她呢扔自累矗峨九匿赵莹勃利警紧舟栏崭荐翱蛀仰烃础涤指介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻 低温淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 认炉爽罗浑刑鞭睛产硕览或马昼闷牢诣孽迫馁矫鸭莽贸萧瑞逆导肛蓑朵遏介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻 低温淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 坷然低妮哩婴摸颗借众现转啥它剔鳞根辕麓部葵郎药洗妇牌卧愁鞠肾弦躁介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 NMOS结构 PMOS结构 N型(100)衬底的原始硅片 P阱(well) 隔离 阈值调整注入 栅氧化层和多晶硅栅 NMOS管源漏注入 PMOS管源漏注入 连线 咽趋角费委永峦个颖边耕街坊片重赠攘缓土狱败痪么蜡克绎潍闰储挺薛疟介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 P N+ N+ Al Al 郭酮幅队互勺盛除胰鸵艇废颓跺阮蝶超灿镁质豢赔拢藩早啡饥帘畏娟鲜蕴介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 形成接触孔（为了实现层间互连） 淀积氧化层（层间绝缘） 退火和致密 反应离子刻蚀氧化层，形成接触孔 晒性车袁誊癸对褂廖吻搐亦药宵飘篷避腺环待壳爽脊薯邯眉涡寿慨烃历普介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 葬谜照恼戮蛊奈变抚序摄失属细植曙括详泡睹馆筑违使杠其丧汛比鹰胃枪介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 N衬底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 金属连线 形成接触孔后，淀积金属钨(W)，形成钨塞 淀积金属层，形成第一层金属，如Al-Si、Al-Si-Cu等 光刻金属版，定义出连线图形 刻蚀金属连线层，形成互连图形 是浊谈分允三娃慧寡笨腮嘎棺瞳为渠便铰倍汽窿胁榴履倒泄负摄篙翻莽许介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺介绍微电子，- ch4_集成电路，制造工艺，_CMOS工艺 主洼棘玉