半导体的杂质和缺陷.pptVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷;理想半导体：1、原子严格周期性;实际半导体：1、总是有杂质、缺;主要内容 1. 浅能级杂质;§2-1 元素半导体中的杂质能;(2) 替位式→杂质占据格点位;1. VA族的替位杂质——施主;电离时，P原子能够提供导电电子;施主电离能△ED=弱束缚的电子;施主杂质的电离能小，在常温下基;在Si中掺入BB具有得到电子的;EcEvEA(2)受主电离能和;受主杂质的电离能小，在常温下基;施主和受主浓度：ND、NA施主;等电子杂质化等苏喜滤滩什釜死赴;N型半导体特征：a 施主杂质电;P型半导体价带空穴数由受主决定;杂质向导带和价带提供电子和空穴;施主向导带提供的载流子=101;上述杂质的特点：施主杂质：受主;4. 浅能级杂质电离能的简单计;玻尔原子电子的运动轨道半径为：;类氢模型：计算束缚电子或空穴运;对于Si中的P原子，剩余电子的;施主能级靠近导带底部对于Si、;对于Si、Ge掺BEcEvEA;EcED电离施主电离受主Ev5;EcEDEAEv电离施主电离受;(3) ND≈NA杂质的高度补;6. 深杂质能级根据杂质能级在;例：在Ge中掺Au 可产生3个;1. Au失去一个电子—施主A;EcEvEDEA1Au－2. ;3.Au获得第二个电子EcEv;4.Au获得第三个电子EcEv;深能级杂质特点：不容易电离，对;§2-2 化合物半导体中;施主杂质替代Ⅴ族元素受主杂质替;●等电子杂质 等电子杂质是与基;点缺陷：空位、间隙原子线缺陷：;2.元素半导体中的缺陷(1) ;(2) 填隙SiSiSiSiS;AsGaAsAsAsAsGaA;4.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的缺陷;a.负离子空位产生正电中心，起;b.正离子填隙产生正电中心，起;产生负电中心，起受主作用c.正;产生负电中心，起受主作用d.负;负离子空位产生正电中心，起施主;第二章 思考题与自测题： 说明;第二章 习题1. P62