二次离子产生原理.PPT

SIMS歷史 1.二次離子質譜儀(Secondary ion mass spectrometer，SIMS)的發展可追溯自1910年，湯姆生(J. J. Thomson)從Kanal strahlen(德文)撞擊金屬板的實驗中，首先觀察到離子引發(ion-induced)產生中子與帶正電荷的離子的現象。 2.赫羅及維伯克(Herzog Viehboeck)首先探討二次離子的基礎理論，並於1949年共同研發出第一部二次離子質譜儀，利用電子撞擊產生一次離子源 赫羅及維伯克(Herzog及Viehboeck)首先探討二次離子的基礎理論，並於1949年共同研發出第一部二次離子質譜儀，利用電子撞擊產生一次離子源 大約l0年之後，赫尼(Honig)、布來德雷(Bradley)、貝 斯克(Beske)及維爾納(Werner)共同研發出第一部完整的二次離子質譜儀。數年後，第一部巿售專用於微區分析(microanalysis)的 二次離子質譜儀，在太空世紀剛開始時，由赫羅及利伯爾(Herzog及Liebl)等人所研製出來，以分析攜回地球之外太空物質，以了解氫至鈾等元素的分 佈情形與同位素組成。  簡介SIMS 材料經由帶有能量的入射離子轟擊而產生二次離子，二次離子經加速後進入二次離子質譜分析系統運用電、磁場的偏轉將離子按不同質量分開，而達到成份分析的目的。二次離子強度經過轉換可得到元素的濃度，而離子轟擊時間，可轉換成雜質分佈深度。? 二次離子質譜儀具有優異的偵測極限，可量測出固體材料中元素含量至百萬分之一或以下。二次離子質譜儀，一般以其分析儀種類，可區分為磁偏式質譜儀、四極式質譜儀與飛行時間式質譜儀三種。 SIMS使用0.5～20 keV 的離子入射於材料表面，通常是O-、Cs+、Xe+、Ar+、Ga+和O2+，這些離子將表面原子、離子濺射出來，分析離子質量而獲得質譜，被濺射出來的離子是來自試片表面，而非入射離子，故謂之二次離子。 (放影片) 影片解析 二次離子產生原理 二次離子的產生機構基本上包括了兩步驟：濺蝕及游離，這兩者發生的先後，尚不十分清楚，如果濺蝕先游離步驟發生，則二次離子的產生是由於電子結構呈激發態的中性原子或分子粒子在離開試片表面的瞬間將電子轉移至試片表面或是自試片表面獲取電子相反地，要是電子游離行為是因為入射離子強力撞擊試片內原子而造成，只有那些極接近試片表面區域的游離原子在脫離試片表面後仍然保有原始離子態，否則離子 在固體內做長距離運動，可與周圍原子因電荷交換而變為中性原子。由於這兩種二次離子產生機構的形成條件可能不同，所以區分它們是一件困難的事，但是濺蝕機 制為SIMS分析縱深(probing depth)的主要影響因素是確定的。 一般說來SIMS的基本構造視其應用之不同，而有各種不同的形式，其構造基本上可分為為下列四大部分： (a)一次離子光學系統: 一次離子光學系統通常的組成為多種類、多種能量和多種強度的一次離子束，和經由電荷分析來控制其純度的磁場，以及調整聚焦掃描的靜電透鏡等。 (b)樣品室： 如一次所能置入樣品數目的多寡；打開真空室變換樣品後再抽達所需真空度的時間；樣品固定在承受器上的方式；承受器能移動、轉動和傾斜樣品的能力，以 及冷卻/加熱樣品的速度和溫度範圍。就分析結果的觀點而言，樣品室的真空度，在一次離子源操作時，會影響到存在空氣中的元素，如碳、氫、氧、氮之最低偵測 極限濃度；承受器的電位壓(Voltage offset)之可變度，會影響到測不良導電性之樣品的能力。 (c) 二次離子光學系統： 二次離子光學系統涵蓋的範圍，從樣品的表面到二次離子偵測器，主要的組成為能量分析儀(Energy analyzer)和質荷分析儀(Mass analyzer)，功能為確保從樣品表面所撞濺出的二次離子在經過適當的能量選擇和質量區別之後，大部份能被偵測出，產生的信號也能確實地反應出各元素在樣品中的分佈資料。 (d) 偵測系統及電腦系統： 二次離子偵測的實用性，可以從其反應時間快慢(Temporal response)、空間解析度(Spatial resolution)、光譜上的靈敏度(Spectral sensitivity)、方便性(Convenience)、再現性(Reproducibility)和做相關定量分析的正確性(Accuracy) 來討論。一般而言，離子偵測器有許多種，選擇的方法往往決定於所追求的資料為何和所測的樣品為何。 二次離子質譜儀需要超高真空、離子槍、質量分析器及電子訊號處理系統及訊號輸出設備 分析應用 (1) 摻雜縱深分析 (2) 淺接面與超淺接面分析 (3) 微污染分析 (