利用场发射显微镜研究O2 对单壁碳纳米管场发射的影响! - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 3 3 ##0 3 ， ， ， ALM (3 =L (3 /.N ##0 （ ） !###*0#B##0B3 #3 B !$*#3 J42J -K;74J ;7=74J !##0 4E8O ( -EN@ ( ;LP ( 利用场发射显微镜研究 对单壁碳 ! 纳米管场发射的影响! !） !） !） !） ） !） !） !） 张兆祥 张耿民 侯士敏 张 浩 顾镇南 刘惟敏 赵兴钰 薛增泉 !）（北京大学电子学系，北京 !##$%!） ）（北京大学化学与分子工程学院，北京 !##$%!） （ 年 月 日收到） ## 利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯 的四极质谱和 对单壁碳纳米管场发射的影响 单壁碳 ’ ’ ( 纳米管经过约 的热处理得到清洁态场发射像后，充入 ，分别测量了 吸附和脱附后场发射的 特性 !###) ’ ’ !* ( 实验观测到在单壁碳纳米管上 的吸附使场发射电流减小，说明逸出功增加 在 + , 的 压强下对单壁碳纳 ’ ( !# -. ’ 米管进行约 的热处理，可以产生氧化刻蚀作用，观测到场发射像的变化，并测量了氧化刻蚀产生的 特性 !###) !* 变化( 关键词：单壁碳纳米管，场发射显微镜，场发射，四极质谱 ： ， ， #$%% %%# $$#/ %01#2 可以使开启电压降至 ，增加场发射电流达 个数