新型半导体光催化剂薄膜制备及光电催化降解有机-北京电子能谱中心.PDF

分类号____________ 密 级_____________ U D C ____________ 编 号_____________ 清 华 大 学 博 士 后 研 究 报 告 新型半导体光催化剂薄膜制备及 光电催化降解有机污染物研究 赵 旭 清 华 大 学 (北京) 2006 年 9 月 1、ZnWO4 薄膜制备与光电化学性能研究 Fabrication and photoelectrochemical properties of porous ZnWO4 film 2 、ZnWO4 薄膜光电催化罗丹明 B (RhB) 研究 Synergetic degradation of RhB at porous ZnWO4 film electrode by combined electro-oxidation and photocatalysis 3、Bi2WO6 薄膜光电催化降解四氯酚研究 Photoelectrocatalytic degradation of 4-chlorophenol at Bi WO nanoflake film 2 6 electrode under visible light irradiation 博 士 后 姓 名: 赵旭 流动站（一级学科）名称: 化学 专 业（二级学科）名称: 分析化学 合 作 导 师: 朱永法 研究工作起止日期 2004 年 10 月 － 2006 年 9 月 摘 要 博士后出站报告 赵 旭 摘 要 半导体光催化技术在环境净化、光解水制氢、太阳能电池等领域具有广泛的 应用前景。开发新型的半导体材料研究其光电化学性能及其在环境净化中的应用 日益成为研究的热点。本研究工作重点集中在新型半导体光催化剂薄膜制备，光 电化学性能分析及其光电催化降解有机污染物研究。主要包括以下3 部分： （1）ZnWO4 薄膜制备与光电化学性能研究 采用非晶态配合物法制备前驱体溶液，然后采用提拉法在 ITO 导电玻璃基底 上制备 ZnWO4 薄膜，采用场发射扫描电子显微镜、X 射线衍射、Raman 光谱等手 段研究了煅烧温度对薄膜结构的影响。并采用自行组装的光电化学性能检测装置 研究了薄膜的光电化学性能。结果表明，经过 500°C 煅烧可以形成孔状的 ZnWO4 薄膜，ZnWO4 颗粒大小为 70 纳米左右。薄膜表面组织和孔结构与 PEG 加入量和 煅烧温度和时间有关系。 ZnWO4 薄膜的成膜过程主要包括前驱体有机物分解，无 定型晶核形成和 ZnWO4 晶体形成。同时详细研究了薄膜结构表面组织与其光电化 学性能之间的关系。最后采用电化学方法接合经验公式，初步估算了 ZnWO4 薄膜 价带顶和导带低的位置分别为-0.56 和 3.45 eV (相对于饱和甘汞电极) 。 （2 ）ZnWO