纳米GaP材料Ga填隙缺陷的EPR实验观察.PDF

波 谱 学 杂 志 第 卷第 期 ２０ ４ Ｖｏｌ．２０Ｎｏ．４ 年 月 ２００３ １２ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ Ｄｅｃ．２００３ 　 ｇ 　  文章编号： （ ） １０００４５５６２００３０４０３３５０８ 纳米 材料 填隙缺陷的 ＧａＰ Ｇａ ＥＰＲ实验观察 张兆春 邹陆军 　 （上海大学材料科学与工程学院，上海 ２０００７２） 崔得良 （山东大学晶体材料研究所，山东济南 ２５０１００） 摘 要：利用电子顺磁共振（ ）技术对纳米 粉体材料的本征点缺陷进行了研究，结果 ＥＰＲ ＧａＰ 　 表明：由 信息的 因子值（ ）可以确定纳米 粉体材料存在 自填隙 ＥＰＲ 犵 ２．００２７±０．０００４ ＧａＰ Ｇａ （ ）本征缺陷；纳米 粉体 信号超精细结构消失，以及谱线线宽（ ）变窄等实验 Ｇａ ＧａＰ ＥＰＲ Δ犎 ｉ ＰＰ 现象，可能是由纳米材料界面的无序性，以及缺陷原子和界面原子之间的电子交换造成的； 在较低的测试温度范围内，升高温度引起纳米 ＧａＰ材料发生晶界结构弛豫；当测试温度由 １００Ｋ升高至 ４２３Ｋ时，Δ犎ＰＰ值和自由基浓度皆逐渐降低． 关键词：电子顺磁共振；纳米； ；点缺陷 ＧａＰ 中图分类号：Ｏ４７４ 文献标识码：Ａ 　　 引言 与常规单晶材料相比，纳米化合物半导体材料由于存在显著的量子尺寸效应和高比 表面等特征，因而具有某些特殊的物理和化学性质 已经证明：在 时，纳米 ． ３００℃ ＧａＰ ［］ １ 粉体在 气氛中可进行 原子取代 原子的界面固相化学反应 ；在 Ｏ Ｏ Ｐ ４５０℃ ４８０℃ ～ ２ 的温度条件下，以纳米 ＧａＰ粉体作为引发剂，苯分子可以发生双分子反应，生成二联 ［］ ２ 苯 ；在电学性质方面