超短脉冲激光对无机硅材料的损伤-超快光学实验室.PDF

第 34 卷 　第 7 期 中　 国 　激 　光 Vol . 34 , No . 7 　 2007 年 7 月 C H IN ESE J OU RN AL O F L A SER S J uly , 2007 　 　　文章编号 :(2007) 超短脉冲激光对无机硅材料的损伤 李玉华 , 马法君 , 戴能利 , 杨 　光 , 陆培祥 ( ( ) ) 华中科技大学武汉光电国家实验室 筹 ,光电子科学与工程学院 , 湖北 武汉 430074 摘要 　通过控制作用于材料表面的激光能量和脉冲数量 ,实验研究了 800 nm ,50 f s , 1 k Hz激光作用下融石英玻璃 和硅片的破坏机制和损伤规律 ,计算了材料的损伤阈值与脉冲能量以及脉冲数量的依赖关系 ,并采用简化的理论 模型计算了熔石英玻璃材料的损伤阈值与激光脉宽以及光子能量之间的依赖关系 。对这两种无机硅材料在飞秒 ( ) 脉冲作用后的微区结构改变进行了扫描电子显微镜 SEM 测试 ,研究了其形貌特征 。结果表明 ,硅片是由缺陷中 的导带电子作为种子电子引发雪崩电离导致材料损伤 ,而熔石英玻璃是由多光子电离激发出导带电子引发雪崩电 离导致材料损伤 。 关键词 　材料 ;无机硅 ;损伤 ;飞秒激光 ;扫描电子显微镜 中图分类号 　TN 204 　　　文献标识码 　A UltraShort Pul sed LaserInduced Da mage in Inorganic Sil icon Material s L I Yuhua , MA Faj un , DA I N engli , YAN G Guang , L U Peixian g ( W uhan N ational L aboratory f or Op toelect ronics , S chool of Op toelect ronics S cience an d Eng i nee ri ng , ) H uaz hong Uni ve rs i ty of S cience an d Technology , W uhan , H ubei 430074 , Chi na Abstract 　The femto second la ser (800 nm , 50 f s , 1 k Hz) induced damages in Si wafer and fu sed silica are st udied by exp eriment s. The morp holo gies of st ruct ural changes in t he two inorganic silicon mat erial s have been investigat ed by mean s of char ge coup led device ( CCD) camera and scanning elect ron micro scop y ( SEM ) . Furt hermore , t he relation ship of damage t hreshold to laser p ul se duration a