尼曼-半导体物理与器件第六章.pptVIP

第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 * 例题6.2：求过剩载流子的时间函数参考热平衡状态。无限大的均匀n型半导体，无外加电场。假设t=0时，晶体中存在浓度均匀的过剩载流子，而在t0时，g=0。若假设过剩载流子浓度远小于热平衡电子浓度，即小注入状态，试计算t≥0时过剩载流子浓度的时间函数。 解：n型半导体少子空穴的双极输运函数为： 无外加电场 浓度均匀的过剩载流子，在t0时，g=0，则 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 * 由上式可得： 由电中性原理可得过剩电子浓度为 过剩载流子浓度随着时间的指数衰减过程示意图 光照停止后的载流子复合过程 过剩空穴的浓度随着时间指数衰减，时间常数为少子空穴的寿命。 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 * 例题6.4：无限大均匀p型半导体，无外加电场。一维晶体，过剩载流子只在x=0产生（右图所示）。产生的载流子分别向-x和+x方向扩散。试将稳态过剩载流子浓度表示为x函数。 解：p型半导体少子电子的双极输运函数为： 无外加电场 稳态且x≠0时g=0，则 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 * 根据无穷远处过剩载流子浓度衰减为零的边界条件可得： 其中Ln2=Dnτn0，称为少数载流子电子的扩散长度。 上式的通解为： 其中，δn(0)是x=0处过剩载流子的浓度。 由上式可见：稳态过剩电子浓度从x=0的源处向两侧呈指数衰减；根据电中性原理，过剩空穴浓度随