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智能剥离制备goi材料 - 南京大学学报（自然科学）
( )
南京大学学报 自然科学
第 卷 第 期 ,
53 3 Vol.53 No.3
JOURNALOFNANJINGUNIVERSITY
年 月 ,
2017 5 Ma 2017
y
( )
NATURALSCIENCES
: /
DOI10.13232 .cnki.nu.2017.03.009
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智能剥离制备GOI材料
1 2 2* 2 2 3
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赖淑妹 毛丹枫 陈松岩 李 成 黄 巍 汤丁亮
( , , ; , , ;
1.闽南理工学院 泉州 3627002.厦门大学物理系 厦门 361005
, , )
3.厦门大学化学化工学院 厦门 361005
: ( , ) ( ) ,
摘 要 绝缘体上锗 结合了 材料及 结构的优点 是一
GermaniumonInsulatorGOI Ge SOISilicononInsulator
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种极具吸引力的 基新型材料 材料不仅具有高的电子和空穴迁移率 同时其独特的全介质隔离结构可以避
Si .GOI
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免短沟道效应 降低寄生电容和结漏电流 首先研究不同表面处理方法对体 与 晶片键合强度的影响
. Ge SiO Si
2
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实验结果显示采用 等离子体活化处理结合氨水溶液 亲水性处理 所得到的体 与
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