Fe-N共掺ZnO电子结构理论的研究.pdfVIP

第 19卷 第4期 哈 尔 滨 理 工 大 学 学 报 V0】．19 No．4 2014年 8月 JOURNALOFHARBINUNIVERSⅡ OFSCIENCEANDTECHNOLOGY Aug．2014 Fe-N共掺 ZnO 电子结构理论的研究 俞泽民， 魏珊珊， 楚晓晨 (哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院，黑龙江 哈尔滨 150040) 摘 要：应用第一性原理，电子密度泛函理论作为研究的理论基础，通过计算来研究Fe—N共掺 ZnO晶体的几何结构、电子 内部结构和光学性质．由结构图、能带图、光吸收曲线相互分析其几何结 构、电子 内部结构和光学性质的形成原因．对 图形进行分析，结果表 明Fe—N共掺 ZnO后价带上移， 禁带宽度小于纯 ZnO，其光吸收曲线发生红移，提高了ZnO对可见光的利用率，这一结果可为进一 步研究Fe—N共掺 ZnO实验奠定基础． 关键词：ZnO；第一性原理；能带结构；光催化性能 中图分类号：TB303 文献标志码：A 文章编号：1007—2683(2014)04—0063-04 StudyontheElectronicStructureofFeN ElementDopedZnO YU Ze—min， WEIShan—shan， CHU Xiao—chen (SchoolofMaterialScienceandEngineering，HarbinUniversityofScienceandTechnology，Hrabin150040，China) Abstract：WecalculatedFe—NCO—dopedZnOcrystalgeometry，internalelectronicstructureandopticalproper— tiesbythefirst—principleelectronicdensityfunctionaltheoryasthetheoretical basis．From thesturcturediagram ， energybanddiargam ，andoptical absorptioncurve，weanalyzeditsgeometry ，electronicinternalsturctureandthe optical propertycause．ResultsshowedthatZnO bandvalencerisingafterFe—N CO—doping，andforbiddenband widthbecamelessthanpureZnO．Thelightabsoprtioncurveturnedoutredshift，improvingthevisiblelightutili· zationrateoftheZnO，byanalyzingthesegraphics．Thisresultwasanexperimental basisforZnO Fe-NCO—doping inthefurtherstudy． Keywords：ZnO；first—principles；bandsturcture；photocatalyticproperty 具有以上优点而常被应用在光催化、生物传感器、太 0 引 言 阳电池等领域 J． 光催化是光触媒有效利用 自然光条件，激发出 ZnO和TiC 都是应用广泛的纳米材料，与TiC 高活性的自由电子，为特定的化学反应提供所需能 相比ZnO的禁带宽度略大，但ZnO价格相对低廉， 量的过程．ZnO在光催化领域应用十分广泛，常用来 抗辐射性能也比较好，所以近年来对 ZnO的研究也 降解水中污染物，杀除细菌，光解有机物，是一种较 越来越多 ．作为 ⅡB与VIA化合的直接能隙半导