二极管的基础知识.ppt

.tw WE CONNECT WE PROTECT WE CONNECT WE PROTECT WE CONNECT WE PROTECT WE CONNECT WE PROTECT 二极管的基础知识 部 门：OEM/ODM 制 作 人：谷春垒 日 期：2016-02-22 摘要（Summary）：※半导体器件基础知识※二极体原理与应用※二极体分类与主要参数※常见二极体芯片结构与工艺流程 ※半导体器件基础知识 物质按导电性能可划分为： 导体 — 一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属元素。导电率为105量纲级。导电能力强。 绝缘体 — 一般为高价元素，如：橡胶、云母、塑料等。导电率为10-22~10-14 量纲级。导电能力弱。 半导体 — 一般为四价元素，如：硅（Si）锗（Ge）等。导电性能介于导体和绝缘体之间。且导电能力随条件变化。 1.1半导体材料 半导体物质特性： 掺入杂质则导电率显著增加 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 温度特性 热敏器件 光照不仅大为增加导电率还可产生电动势 光照特性 光敏器件、光电器件 完全纯净、结构完整的半导体晶体被称为本征半导体。 本征半导体在物理结构上呈单晶体形态。（见左下图） 本征半导体 本征半导体： 常用的本征半导体：硅（Si），锗（Ge） 本征半导体的晶体结构 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 常见本征半导体的原子结构简化模型 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1.在T=0K，且无外部激发能量时： 本征半导体的导电特性: 常见本征半导体晶体结构平面示意图 本征半导体内部没有能够自由移动的带电粒子，即载流子，此时本征半导体呈绝缘特性。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2.在有外部激发能量（如温度升高，光照）时： 挣脱原子核束缚的电子称为 自由电子，在本征激发下形 成带负电荷的载流子。 留下的空位称为空穴，成为 带正电荷的载流子。 本征半导体的载流子在外加电场的作用下可定向移动形成漂移电流。 共价键内的电子 称为束缚电子 杂质半导体 N（电子）型半导体 (掺入的五价元素如P、Se等) 杂质半导体 P（空穴）型半导体 (掺入的三价元素如B、Al、In等) 掺入杂质越多，导电性能越强 (1) 在PN结外加上正向电压时： PN结正偏（P(+), N(-)）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通。 2. PN结的单向导电性 以上所讨论的PN结处于平衡状态，称为平衡PN结。如在PN结两端外加不同方向电压，就会破坏原平衡，呈现出单向导电性。 (2) 在PN结外加上反向电压时： PN结反偏（P(-), N (+)）时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。 结论： PN结加正向电压，即正偏时，有较大的正向扩散电流，此时PN结电阻小，处于导通状态，此时的正向电流随着PN结两端的电压增大而增大； PN结加反向电压，即反偏时，只有很小的，不随PN结两端电压变化的反向饱和电流，此时PN结电阻大，处于截止状态。 即PN结具有单向导电性能。 二极管 ：一个PN结就是一个二极管。 单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。 符号： ※二极体原理与应用 * 二极体的实际特性1 * 二极体的实际特性2 * 二極體在切換式電源上的應用 ※二极体分类与主要参数 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 GPP 芯片基本结构 镍、金 Glass 镍、金 SIPOS ※常见二极体芯片结构与工艺流程 Schottky芯片基本结构 Mo、Pt、Ti Ni、Ag Ni、Ag TVS芯片结构(Mesa) P Ni、Au 氧化物 Glass N+ N P+ Ni、Au P 氧化物 Ni、Au Glass N+ N N N+ 氧化物 Ni、Au Glass 单向 双向 ZENER\TVS芯片结构(Planar) P Ti、Ni、Ag（Au） 氧化物 Ti、Ni、Ag（Au） N+ N P N+ 氧化物 单向 双向 氧化物 Ti、Ni、Ag（Au） P+ N+ N Ti、Ni、Ag（Au） N+ Thank You .tw WE CONNECT WE PROTECT WE CONNECT WE PROTECT WE CONNECT WE PROTECT WE CONNECT WE PROTECT