集电结处于正偏.ppt

?0 0.1 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠截止 开始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 饱和 工 作 状 态 管 型 晶体管结电压的典型值 第一章 第六节 ---晶体管三极管 1 三极管及其特性 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 1.1 基本结构 ⑶基区：最薄， 掺杂浓度最低 ⑴发射区：掺 杂浓度最高、面 积较小 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： ⑵集电区： 面积最大 1.2． 三极管的分类 三极管的种类很多, 有下列几种分类形式： (1) 按其结构类型分为NPN管和PNP管;  (2)按工作频率分为低频管和高频管; (3) 按消耗功率的不同，可分为小功率管、中功率管和大功率管。 1. 3．三极管的外形结构 常见三极管的外形结构如图2.2所示。 图2.2 常见三极管的外形结构 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 1.发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　2.进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 3.从基区扩散到集电结的电子，被迅速推向集电极，形成IC。 4.集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 2. 三极管的工作原理与电流放大作用 上述过程可以得到以下结论： IE = IC+IB IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 2.1.输入特性 特点:非线性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O ⑴ UCE=0的特性与二 极管的正向特性相似。 ⑵ UCE↑特性右移。 ⑶ 三极管的门值电压：硅管约0.5-0.6V,锗管约0.1-0.2V。 2.2.输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 晶体管工作于饱和态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 2.3. 三极管的主要参数 1 、电流放大系数 ，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近，常不加区分。 2 、 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3 、 集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4、极限参数 1 ）集电极最大允许电流 ICM 2 ） 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升到一定程度时，会导致三极管的?值的下降，使?值明显减少的IC即为ICM。 基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就