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　　非晶材料在传感器中的应用论文 论文关键词：单晶材料 多晶材料 非晶材料 非晶硅 非晶磁性材料 非晶传感器 论文摘要：摘要：对敏感功能材料研究开发所呈现的主要趋势之一就是从单晶材料向多晶材料和非晶材料方向过渡发展。由于非晶材料具有光吸收系数高、基片材料的限制性小、性能易于扩展、制作工艺简单等优点，因而受到多方面青睐。本文侧重介绍非晶材料的现状、基本特性及其在传感器中的应用与展望。 一、引言 最近，对敏感功能材料的研制开发所呈现的主要趋势之一就是从单晶材料向多晶材料和非晶材料的方向过渡发展。到目前为止，传感器中应用的敏感功能材料多为单晶材料，特别是物理类传感器更是如此。例如，光敏传感器一直就是用Si、GaAs 之类的单晶半导体。另一方面，气敏传感器主要由多晶材料或多孔陶瓷构成。陶瓷由粉末混合物经模压、烧结而形成。采用理想特性的原材料并对烧结工艺严加管制，便可制成一种精细陶瓷.freel) 0.56 8.0 40 饱和磁通密度Bs(T) 0.78 1.51 0.40 居里温度（K） 543 773 480 结晶温度（K） 798 --- --- 注：*1.片厚20μm *2.片厚100μm 3、高饱和磁通密度 基本组合成分为Fe、Si、B，以提高耐蚀性、降低铁耗为目的，还可适量添加Cr、Ni、Nb 等元素。表3 列出高饱和磁通密度Fe 基非晶金属的磁特性，并与方向性硅钢板作了比较。铁耗要比硅钢小1/3~1/5。 4、高磁通密度 由于Fe 基非晶金属无结晶磁各向异性，透磁率大，而且磁致伸缩大，即使是弱磁场也能发生大的磁致伸缩，因而作为磁致伸缩材料的应用开发相当活跃。非晶材料的k 值显著大于结晶材料。可用作超声波元件而特别引人注目。 四、应用 由于非晶材料具有光吸收系数高、基片材料限制小、性能易于扩展、制作工艺简单等优点，因而作为敏感功能材料倍受青睐，现已日益广泛应用于各种传感器。图3所示为主要用例。 图3 非晶硅传感器 1、光传感器6 有效利用非晶硅的特性便可研制成高性能的光传感器。非晶硅光传感器有光导电池式和光敏二极管式2 种。光敏二极管具有与太阳电池相同的p-i-n 结构，非晶硅光敏二极管的灵敏度和响应时间与单晶硅光敏二极管相近。 ①光导电池 图6 所示为未掺杂非晶硅的一个典型特性—光导性与单色光强度的函数关系。在1mOS 型扫描器和非晶硅 光导层组成。模式识别传感器是图像传感器的另一个应用实例。图11 示出模式识别传感器的结构简图，由设置在2 块透明板之间的光传感器阵列（16×16，2×2mm）构成。 图9 线性光传感器的结构简图 图10 固态图像传感器的结构简图 图11 模式识别传感器的结构简图 2、温度传感器 首先介绍西贝克效应7： 如下图11所示，所谓西贝克效应就是指当一种材料两端有温度差时，在材料内部将形成电场，相应的存在电动势。若把材料两端相连成闭合电路，线路中有电流通过。通常用温差电动势率来表示这一电动势，它是材料两端单位温度差引起的温差电动势，对于晶态半导体，可推出其温差电动势率S为， N型： QUOTE n QUOTE （1） P型：Sp= QUOTE （2） T T+△T（△T 0） 图12 西贝克效应示意图 式中q为电子电荷的绝对值，A-和A+是接近1的常数，可以推出对于n型， QUOTE n 0，Sp 0。因此，可以通过测量温差电动势的正负的办法来判断半导体的导电类型。金属温差电动势比晶态半导体要小得多，一般金属的费米能级数量级为几个电子伏特，因此金属的温差电动势绝对值约为几个 QUOTE ，而晶态半导体的温差电动势率绝对值在室温时可达几百 QUOTE 对于一般的非晶态半导体温差效应，与它的三种导电机制相对应，它的温差电效应也分成三个不同温度讨论。 当温度足够高时，以扩展态中的电子导电为主时，非晶态半导体的温差电动势与晶态半导体很类似，它们的n型和p型半导体具有相同的表达式。随着温度降低，当以带尾局域态电子导电时，非晶态半导具有1式和2式的形式，只是式中的EC和EV分别换成EA和EB，A-，A+值更小。当温度进一步降低，以禁带中的缺陷局域态中的电子导电为主时，非晶态半导体的温差电动势率S有类似于金属的形式，同样S值很小，符号可正可负，取决于对电流做主要贡献的电子能态是位于费米能级EF的上方还是下方。 图13示出非晶硅的热电势与温差的关系。由于非晶硅的西贝克（Seebeck）系数高，因而可用来研制高灵敏度的温度传感器。在室温附近西贝克系数几乎为常数，n 型和p型材料的西贝克系数分别为-120μV/K~-220μV/K 和170μV/K～280μV/K，比金属的西贝克系数大2 个数量级。为了增大西贝克效应的灵敏度，形成p-n 结可能是有益的。由于通过半导体的p-n