薄膜复习试卷.pptx

金刚石的优异特性 表3-1，与SiC、GaAs和Si的比较 特别注意：热膨胀系数、带隙、空穴迁移率、电阻率、热导率、硬度 表3-2、3-3、3-4、3-5，金刚石的主要力学、电学、热学和光学性能 碳基薄膜材料 Diamond-like carbon, DLC 类金刚石膜 晶体硅——非晶硅 金刚石——DLC（含有金刚石结构的非晶碳膜） 在某些要求沉积温度低、膜面光洁度高的场合，只有DLC胜任 五员环(P)和六员环(H) 的环数比 /home.php?mod=spaceuid=526286do=blogid=424490 研炭翁说碳(九) 碳还会带来新的惊喜吗? DLC基本性质 Ta（四面体） 低迁移率半导体，带隙可变（1-4eV） 具有室温下的光荧光效应和低电子亲和势 良好的抗磨、热导、红外透过和高硬度 低摩擦系数 性质主要由sp3:sp2决定 DLC的制备 比金刚石容易制备，衬底温度不高 无氢非晶碳膜（a-C film）：一般CVD制备 Ta-C film或非晶金刚石薄膜：一般PVD制备 DLC的电导 金刚石（宽禁带、绝缘）和石墨（零禁带、导电）的混合 sp3、sp2的混合 原子结构是σ和π键的混合 与温度的关系 低温：Mott的变程跳跃电导理论 室温：带尾定域态 高温：扩展态 沉积参数对DLC电导的影响 衬底温度越高，电导率上升 导电机制的主要因素应取决于sp2与sp3键的比例，这一比例超过某一阈值，电导率由费米能级附近的变程跳跃机制决定（ π键），低于这一阈值时，则由σ键决定，则类似近程跳跃电导机制。 电子在两态间跳跃的距离变化，对电导影响巨大。 沉积气压高，电导率下降 衬底偏压高，电导率上升 DLC的光学特性 光学性质对沉积方法及工艺参数比较敏感 吸收系数 光学带隙 偏压，气压——sp2与sp3键的比值 退火的影响：随衬底温度的升高，吸收系数增大 DLC的力学特性 内应力——爆裂、脱落 特别在金属基底的附着力不佳 DLC其它性能 介电 场发射 润湿性 热稳定性：Si的加入可提高 摩擦性能 折射率 DLC的应用 c-BN的特性与应用 热导率、硬度仅次于金刚石 热稳定性优于金刚石 对于铁族金属具有极为稳定的化学性能，比金刚石更优于用于钢铁材料加工 很宽的波长范围内，具有良好的透光性 通过掺杂，可获得p、n半导体，可应用于电子器件 c-BN的制备 PVD： 溅射，靶材h-BN, B，气氛Ar, N2或混合 离子镀 PLD CVD 分解含N、B的化合物 质量检测 FTIR XPS 确定立方相的比值 背景 CNTs薄膜 半导体材料的分类 元素半导体：常见的有硅、锗等。 化合物半导体：部分Ⅲ—Ⅴ族元素和Ⅱ—Ⅵ族元素形成的化合物具有半导体的特性，且被广泛应用。如： Ⅲ—Ⅴ族化合物：GaAs、InP等。 Ⅱ—VI族化合物：CdTe、CdS等。 有机半导体——现已发现部分有机化合物也具有半导体的特性。如：萘、蒽、聚丙烯晴、酞青以及一些芳香类化合物等。 无定形半导体：无定形硅（a-Si）和微晶半导体即属此类，其应用价值正在开发之中。 从应用角度角度，非晶半导体薄膜材料具有以下特点 可在任意衬底上形成薄膜材料 容易实现大面积化，且不受形状的限制 制备工艺简单，造价低廉 有优异的光学和电学性能，尤其是光吸收系数比较大 非晶硅 非晶硅a-Si:H 非晶硅基合金薄膜材料:a-SiC:H, a-SiN:H等 与晶体材料的差异： 无长程有序，保持短程有序，不仅有导带、禁带和价带还有导带尾态、价带尾态和带中缺陷，且这些态是定域化的。增加了跳跃导电机制，迁移率小，室温电阻率高。 可部分实现连续的物性控制 热力学亚稳态 性质依赖于制备条件和方法，重复性比晶态差 各向同性 非晶半导体制备方法 非晶形成能力大的（硫系），熔体快速冷却（103-104 ℃/s ） 非晶形成能力低的，需要更高的冷却速度（大于105 ℃/s ），采用真空蒸发、辉光放电和溅射,**CVD 辉光放电等离子CVD 非晶半导体能带模型 Mott-CFO模型：基于紧束缚，固态中电子的状态主要决定于该电子所属的原子及其最近邻原子。非晶态与晶态应该有类似的能带结构。原子最近邻位置上的微小变化，以及次近邻和更远近邻位置上的变化，可看成是对能带中电子密度的一种微扰。 短程有序——基本能带 长程无序——定域态带尾 悬挂键——带隙中间形成隙态 晶体： 直接跃迁、间接跃迁 满足能量守恒和动量守恒 间接跃迁时需要声子的参与 光学性质 非晶： 电子跨越禁带时的跃迁没有直接跃迁和间接跃迁的区别 不再遵守动量守恒的选择定则 非晶结构上的无序使得非晶的电子没