第8章-半导体表面与MIS结构.pptVIP

第八章 半导体表面与MIS结构;§ 8·1 表 面 态;2、清洁表面; 表面实质上就是晶体周期性的中断，或周期性势场的中断，它必然在禁带中引入能级，这种能级称为表面能级。 根据固体理论求解薛定谔方程，可获得表面能级分布的情况，即状态密度，对应的状态称为表面态。 每个表面原子对应禁带中的一个表面能级，这些表面能级按一定规律组成表面能带。 从晶体结构上看，表面原子排列不规则，而且表面上往往吸附有其它的分子或原子。本章讨论的是理想表面，即晶体表面原子排列比较规则，且不吸附有任何非本体分子或原子的表面。;§8.2 表 面 电 场 效 应;2、理想MIS结构：;在金属中，自由电子密度很高，电荷基本上分布在很薄的一个原子层的厚度范围之内；; 表面势surface potential及空间区内电荷的分布情况,随金属与半导体间所加的电压VG而变化，主要可归纳为堆积、耗尽和反型三种情况:;VG=0时,理想MIS结构的能带图;在金属和P型半导体间加上电压，则将会在半导体的表面层中产生空间电荷区;d;qVs;特征： ①表面能带向下弯曲； ②表面上的多子浓度比体内少得多，基本上耗尽，表面层负电荷基本等于电离受主杂质浓度。 ;能带进一步下弯 1）在表面处EF可能高于中间能级Ei，EF离Ec更近；;二、表面空间电荷层的电场、电势和电容;*考虑在表面层中载流 子满足经典统