第二章 集成电路中的晶体管及其寄生.pptVIP

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 信息工程学院 李薇薇 liweiwei@hebut.edu.cn 2.1理想本征集成双极晶体管的埃伯斯-莫尔模型 一、要点 通过隔离把硅片分成一定数目的相互绝缘的隔离区； 在各个隔离区制作晶体管，电阻等元件； 制作互连线，把各个元件按照一定功能连接起来。 多维效应——集成电路中的双极晶体管为四层三结结构，各电极均从上面引出，而且各结面积不同。 二、寄生晶体管作用分析 （1）NPN工作于饱和区或反向工作区（数字集成电路）： VBC－NPN0，VBE－PNP0，PNP管的发射结正偏，PNP管处于正向工作状态。 （2）NPN处于截止区或正向工作区（模拟集成电路）： VBC—NPN0，VBE－PNP0，PNP管的发射结反偏，寄生PNP管截止。 三、EM模型 2.2集成双极晶体管的有源寄生效应 假定隔离结始终处于反偏，并取晶体管的参数如下； 2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区的情况 NPN管工作于正向工作区和截止区时，NPN管的BC结压降VBC-NPN 0 ，亦即PNP管的BE结压降VBE-PNP 0 ； 因为PNP管的BC结压降VBC-PNP =VSC 0 ，所以寄生PNP管截止。此时IS’ = -ISS ≈ 0 。 寄生PNP管的存在对NPN管的电流基本上没有影响，只是增加了IB及IC中的反向漏电．同时增加一项衬底漏电