半导体二极管及其应用电路 (2).ppt

第7章 半导体二极管及其应用 1. 二极管的伏安特性 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 特性U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流在一定电压范围内不变，称为饱和。 7.2 半导体二极管 常用电路及理想特性 U I E + - R 限流电阻 理想二极管特性 U I 0 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向饱和电流 （很小，?A级） 0 7.2 半导体二极管 1）最大整流电流 IOM 2）反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3）反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 2. 二级管的主要参数 二极管长期使用时，允许流过的最大正向平均电流 7.2 半导体二极管 7.2.3 特殊二极管 1. 稳压二极管 稳压二极管是一种用特殊工艺制成的面接触型硅二极管，其特殊之处在于它工作在特性曲线的反向击穿区，正常工作时处于反向击穿状态，并通过制造工艺保证PN结不会被热击穿。 U I O 稳压管正常工作时加反向电压，并加限流电阻 （1）特性曲线 7.2 半导体二极管 符号： _ + （2） 主要参数 1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 3) 动态电阻 4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM 5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 7.2 半导体二极管 2. 发光二极管 半导体发光二极管是可将电能直接转换成光能的固体发光器件。能产生不同颜色的可见光或红外 辐射光。 发光二极管的结构与普通二极管一样，伏安特性曲线也相似，同样具有单向导电性 。 发光二极管多被用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领域。 符号 2. 发光二极管(LED) 发光二极管是可将电能直接转换成光能的半导体发光器件。能产生不同颜色的可见光或红外 辐射光。 发光二极管的结构与普通二极管一样，伏安特性曲线也相似，同样具有单向导电性 。 发光二极管多被用作仪表的指示器、光电耦合器和光学仪器的光源等领域。 常用的有2EF等系列。发光二极管的工作电压为1.5 ~ 3V，工作电流为几 ~十几mA。 7.2 半导体二极管 光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时, 和普通二极管一样, 其反向电流很小, 称为暗电流。 当有光照时, 产生的反向电流称为光电流。 I/?A U/ V E=0 E1 E2 (a) 伏安特性 (b) 符号 E2 E1 常用的光电二极管有2AU, 2CU等系列。 光电流很小, 一般只有几十微安, 应用时必须放大。 3. 光电二极管 光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结。 7.2 半导体二极管 4. 变容二极管 变容二极管也称为压控变容器，是根据所施加的电压变化而改变结电容的半导体。 变容二极管的结电容能随外加的反向偏压而变化，被用来调频、扫频及相位控制。调频发射机采用变容二极管在工作在LC振荡回路上直接调频；采用晶体振荡器和锁相环路来稳定中心频率。 7.2 半导体二极管 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 7.3 二极管应用电路 * * * * 下 篇 电 子 技 术 电工与电子技术 本章基本要求： 1. 了解半导体的结构，掌握杂质半导体的基本特性，理解PN结的单向导电性； 2.掌握半导体二极管的导通、截