模电1-chapter1剖析.ppt

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模电1-chapter1剖析

图 12.反向偏置的PN结 E R P N 耗尽区 + + + + + + + + + + + + + + + 二、 PN结加反向电压 外电场U外 内电场UB IS 耗尽层变宽, 内电场增强, 动态平衡被打破, 漂移运动超过扩散运动, 因此流过PN结的主要电流是漂移电流,但因为少子浓度很低,所以形成的漂移电流很小IS, 且固定温度下,少子浓度一定不随着外电压变化, 故被称为反向饱和电流。 反向PN结表现为一个很大的电阻 PN结加正向电压时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻态,相当于PN 结导通; PN结加反向电压时,具有很小的反向漂移电流,呈现高电阻态,相当于PN 结截止。 结论:PN结具有单向导电性。 小结: 利用PN结的单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管。 整流二极管:把交流电变成直流电。 三、PN结电流方程 其中,IS为反向饱和电流,k为玻尔兹曼常数,T为热力学温度,q为单位电子电荷量 室温(T=300K)下,UT=26meV PN结两端所加电压u与流过它的电流i 的关系为: 取UT=kT/q 为温度的电压当量,则 四、PN结伏安特性 图 13. PN结的伏安特性曲线 i u 0 -UBR 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 3.PN结的反向击穿特性 反向击穿: 当PN结的外加反向电压超过一定值UBR ,反向电流急剧增大。 这破坏了PN结的单向导电特性。 两种击穿机理: 齐纳击穿和雪崩击穿。 i u 0 T -UBR T 反向击穿区 一般来说,对硅材料的PN结,UBR7V时为雪崩击穿; UBR 5V时为齐纳击穿; UBR介于5~7V时,两种击穿都有。 P N 正偏时,PN结(耗尽层)变窄, 结中空间电荷量减少,相当于电容“放电” 内电场UB 图 11. 正向偏置的PN结 E R 外电场U外 + + + + + + + + + + + + + + + I 4. PN结的电容特性 势垒电容与普通电容不同之处在于它的电容量并非常数,而是与外加电压有关 (C=?S/d)。 一、 势垒电容CT 与平板电容器相似,外加电压变化时,耗尽区的宽度和其中的正负离子数目均发生变化。 结电容Cj= CT + CD 结 论 因为CT和CD并不大,所以在高频工作时,才考虑它们的影响。 正偏时以扩散电容CD为主, Cj ≈ CD,其值通常 为几十至几百pF; 反偏时以势垒电容CT为主, Cj ≈ CT, 其值通常 为几至几十pF。(如:变容二极管) 利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管也称压控变容器,用于高频调谐、通信等电路。电源通过电阻R加到VD上,当这电源大小变化时,VD的偏压大小就会改变,其结电容大小也就改变,这样LC并联谐振电路的谐振频率也随之改变。 本征半导体、杂质半导体、PN结 本节课知识点归纳: 本节课任务: 掌握本征、杂质半导体的导电特性, PN结中载流子的运动及单向导电性 本节思考题 空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗?它为什么具有单向性?在PN结中加反向电压时真的没有电流吗? 模拟电子电路 第一章 -- §1.1 §1.2 作 业 1.1 模拟电子电路 第一章 -- §1.1 §1.2 * * * 而所谓的模拟电路就是处理此类信号的电子电路。最基本的处理就是放大,因而在这门课程中,我们会花较多的时间来研究跟放大作用有关的概念/电路与分析方法。 * 因为本征半导体中的原子都是有序排列的,所以每个价电子除了受自身原子核的束缚,还受相邻原子核的吸引,使得每个价电子为相邻两个原子所共有,形成共用电子对,称为共价键 * 实际半导体器件多数是用杂质半导体制成的。杂质半导体是指 * * * 前面我们分别学习了P型半导体和N型半导体,下面我们就来看一下把这2种杂质型半导体放到一块会怎样 * 在介绍PN结的形成之前,我们先来了解一下半导体中的两种电流。。。搞清了这两种电流,我们就来看一下PN是如何形成的 * 把p型半导体和N型半导体如图结合在一起,通过前面的学习我们知道p型半导体中的多子是 * PN 结在未加外加电压时,扩散运动与漂移运动处于动态平衡,通过PN 结的电流为零。下面我们就来看一下把PN结接入电路之后是什么情况, * 具体的电压,电流关系可以表示成 * 根据这样一个关系式就可以画出PN结的伏安特性曲线 * 下面我们就来详细分析一下PN结的伏安特性 * 当PN结两端加正向电压时,PN结变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容“放电”,当PN结两端加反向电压时,PN结

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