模拟电子技术第三章剖析.ppt

2. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 在栅源间加负电压vGS ，令vDS =0 ①当vGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 2.漏源电压对沟道的控制作用 当vGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 转移特性曲线： iD=f(vGS)?vDS=const 3.N沟道耗尽型MOSFET 工作原理： 当vGS=0时，就有沟道，加入vDS，就有iD。 当vGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当vGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 P沟道耗尽型、增强型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4.场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 5.双极型和场效应型三极管的比较 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 较小 较大 噪声 电压输入 电流输入 输入量 电压控制电流源 电流控制电流源 控制 少子漂移 多子扩散少子漂移 载流子 单极型场效应管 双极型三极管 不宜大规模集成 几十到几千欧 制造工艺 输入电阻 适宜大规模和超大规模集成 几兆欧以上 3.3 各种场效应管的特性比较及使用时的注意事项 3.3.1 各种场效应管的特性比较 1. vDS的取值：对于所有的N沟道场效应管vDS 0。 　　　　　　 对于所有的P沟道场效应管vDS 0。 2. vGS的取值: 3. VP或VT的取值: 3.3.2 使用场效应管时注意事项 根据场效应管的制作工艺，漏源两个电极可以互 换，但是在出厂时衬底与源极已经接好的管子不可互换。 2. 场效应管各个电压的极性不能接反。 MOS型场效应管极易被击穿，在焊接、保存时要 注意防静电。 3.4 场效应管放大电路 直流偏置电路的作用: 保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 1.自偏压电路 VGS =- IDR 注意：该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路。 计算Q点：VGS 、 ID 、VDS 已知VP ，由 VGS = - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： ID 3.4.1 场效应管放大电路的静态分析 2.分压式偏置电路 可解出Q点的VGS 、 ID 计算Q点： 已知UP ，由 该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。 VDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求： 3.4.2 场效应管的微变模型 在输入、输出端分别有: 求导: 得: 可以做出响应的电路模型 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 其中：gmvgs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。 称为低频跨导。 rds为输出电阻，类似于双极型晶体管的rce。 + ?a + + - gs m v gs v u - S ds g r ds g d S d i ig 1.共源放大电路 3.4.3 场效应管放大电路的动态分析 * * 第三章 场效应管放大器 3.4 场效应管放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘删型场效应管 3.3 各种场效应管的特性比较 及使用时的注意事项 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管（JFET）的类型和结构 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 结型场效应管(JFET) N沟道 P沟道 1.类型 两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 符号： N沟道 P沟道 1.栅源电压对沟道的控制作用 (N沟道) ②当│vGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，