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电子技术基础 二极管 ＆ 三极管 一 半导体二极管（Diode） 特性：具有单向导电性的半导体器件。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间且具有导电能力受外界条件（光照、温升）及杂质影响极大的特点的一类物质叫半导体（Semiconductor)。 分类 用 途：检波二极管、混频二极管、参放二极管、开关二 极管、稳压二极管、整流二极管、光电二极管、发光二极管。 材 料：锗二极管、硅二极管。 结 构：点触二极管、面触二极管。 工作原理：隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。 常用二极管特性表 二极管命名规定 第一部分用数字2表示二极管； 第二部分表示材料和极性用字母表示，如下： 第三部分类型用字母表示，如下： 第四部分用序号用数字表示； 第五部分规格用字母表示。 例： 2CN1 表示 N型硅阻尼二极管 二极管好坏的判断方法 可以通过测量正反向电阻的大小，检查二极管性能的好坏。锗管用R×100档测量，硅管用R×1K档测量。正反向电阻相差越大越好。一般二极管的正向电阻大约在100-600欧姆之间，反向电阻大约在几百千欧以上。如果测得正向电阻无穷大，表示二极管断开；如果测得正反向电阻为零，表示二极管短路；如果正反向电阻差不多，这样二极管也是坏的。 三极管命名规定 三极管型号由五部分组成 第一部分用数字3表示三极管； 第二部分表示材料和极性，用字母表示，如下： 第三部分类型用字母表示，如下： 第四部分序号； 第五部分规格号。 例： 3AG11C 表示 锗PNP型高频小功率三极管 END 谢谢大家捧场！ * * 曾伟 2004-5-17 1.二极管（Diode） Diode结构，外观，符号 － PN结合Diode是锗或硅的单品里使结晶成晶体，P型半导体部分 和N型半导体部分连接做出的。 这内部的原理结构如上图是二极管，电极是P向端子，（阳极） N向端子（阴极）构成。 - 1 - P N A K A K P N 圈 磊 蜡 傈 磊 hall 自由电子 A K 阴极波段 阳极 阴极 用于指示，可驵成数字或符号的LED娄码管 正向电压为1.5-3V时，只要正向电流通过可发光 发光二极管 多用于电视机行扫描电路中的阻尼、整流电路 反向恢复时间小，能随较高的反向击穿电压和较大峰值电流，既能在高频下工作又具有较低的正向电压降 阻尼二极管 用于高频、高压整流电路 把多只硅整流器件的芯片串联关起来形成一个整体的高压整流器件 高压硅堆 在调谐等电路中取代可变电容器 利用PN结电容随加到期管子上的反向电压大小而变化的特性 变容二极管 在电路中对电流进行控制，起到“接通”或“关断”的开关作用 利用正偏压时二极管电阻很小，反偏压时电阻很大的单向导电性 开关二极管 稳压限幅，过载保护，开关条件，广泛用于稳压电源装置中 得用二极管反向击穿时，二端电压不变原理 稳压二极管 把调制在高频电磁波上的低频信号检出来 常用点接触式、高频特性好 检波二极管 把交流电变为脉动电流，即整流 多用硅半导体制成、利用PN结单向导电性能 整流二极管 用途 原理、特点 名称 根据国家标准GB-249-74，半导体二极管型号由五部分组成： P型，硅材料 N型，硅材料 P型，锗材料 N型，锗材料 含义 D C B A 字母 阻尼管 N 参量管 C 雪崩管 B 隧道管 S 稳压管 W 开关管 K 整流堆 L 微波管 V 光电器件 U 整流管 Z 普通管 P 含义 字母 含义 字母 含义 字母 二极管的主要技术参数 二极管的主要电气参数有最大整流电流、反向击穿电压、反向饱和电流和最高工作频率等。稳压二极管还有稳压电压稳压电流和温度系数。 检查发光二极管的简单方法 使用数字万用表，将档位选在测量二极管的档位上，红笔接二极管的正极，黑笔接二极管的负极。如果发光，则说明发光二极管是好的，如